Bài giảng Kiến trúc máy tính - Bài: Bộ nhớ và các thiết bị lưu trữ - Nguyễn Ngọc Hóa

NGUYỄN Ngọc Hoá
Bộ môn Hệ thống thông tin, Khoa CNTT 
Trường Đại học Công nghệ,
Đại học Quốc gia Hà Nội
Kiến trúc máy tính
Bộ nhớ và các thiết bị lưu trữ
16 September 2015 Hoa.Nguyen@vnu.edu.vn
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 2Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Nội dung
1. Khái niệm chung
2. Bộ nhớ chính
3. Bộ nhớ cache
4. Bộ nhớ ngoài (các thiết bị lưu trữ)
5. Tổng kết và bài tập
Tham khảo chương 4,5,6 của [1]
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 3Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
1. Khái niệm
 Bộ nhớ: thiết bị có thể bảo quản và khôi phục một thông tin
 Từ nhớ: tập bits có thể được đọc hay ghi đồng thời
 Các kiểu vật liệu nhớ:
 Bán dẫn – semiconductor (register, cache, bộ nhớ chính, )
 Từ - mangnetic (đĩa mềm, đĩa cứng, )
 Optic (CD-ROM, DVD-ROM) 
 
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 4Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Đặc điểm
1. Vị trí
2. Dung lượng
3. Đơn vị truyền
4. Kiểu truy cập
5. Hiệu năng
6. Kiểu vật liệu
7. Đặc trưng vật liệu
8. Tổ chức
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 5Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Đặc điểm
 Vị trí 
 CPU
 Internal
 External
 Dung lượng
 Phụ thuộc vào kích thước từ nhớ, và
 Số lượng từ nhớ
 Đơn vị truyền
 Bên trong: phụ thuộc vào độ rộng bus dữ liệu
 Bên ngoài: block(>từ nhớ)
 Đơn vị có thể đánh địa chỉ được
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 6Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Đặc điểm
 Kiểu truy cập
 Tuần tự: VD băng từ
 Trực tiếp: 
 Mỗi 1 block có 1 địa chỉ duy nhất
 Truy cập = cách nhảy đến vùng lân cập và tìm tuần tự
 Thời gian truy cập vào vị trị hiện tại hiện tại và trước đó
 VD: HardDisk, Floppy Disk,
 Ngẫu nhiên:
 Mỗi địa chỉ xác định chính xác một vị trí
 Thời gian truy cập không phụ thuộc vào vị trí cũng như lần truy cập trước
 VD: RAM, 
 Kết hợp:
 Một từ được định vị thông qua việc sử dụng một phần nội dung của từ đó
 Thời gian truy cập không phụ thuộc vào vị trí cũng như lần truy cập trước
 VD: cache, 
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 7Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Đặc điểm
 Chiến thuật phân cấp bộ nhớ: How much? How fast? How 
expensive?
 Registers
 L1 Cache
 L2 Cache
 Main memory
 Disk cache
 Disk
 Optical
 Tape
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 8Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Đặc điểm
 Hiệu năng:
 Thời gian truy cập: khoảng thời gian từ khi gửi địa chỉ cho đến khi thu 
được dữ liệu trọn vẹn
 Thời gian chu trình nhớ - Memory Cycle Time: 
 Thời gian bộ nhớ đòi hỏi để “hồi phục” trước lần truy cập kế tiếp
 = access + recovery
 Tốc độ chuyển dữ liệu
 Kiểu vật liệu:
 Semiconductor :RAM
 Magnetic: Disk & Tape
 Optical: CD & DVD
 Others: Bubble, Hologram
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 9Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Đặc điểm
 Đặc trưng vật liệu:
 Phân rã - Decay
 Dễ thay đổi - Volatility
 Có thể xoá được - Erasable
 Năng lượng tiêu thụ
 Tổ chức:
 Cách thức sắp xếp các bits trong một từ
 Thường không rõ ràng
 VD: interleaved
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 10Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
2. Bộ nhớ chính
 Bộ nhớ bên trong máy tính
 Semi-conductor
 Truy cập ngẫu nhiên
 Kiểu:
 RAM- Random Access Memory: lưu giữ những dữ liệu tạm thời
 ROM – Read Only Memory: lưu giữ thông tin cố định
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 11Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Read Only Memory (ROM)
 Lưu giữ thông tin cố định - permanent storage, nonvolatile
 Microprogramming
 Library subroutines
 Systems programs (BIOS)
 Function tables
 Kiểu:
 Written during manufacture
 Very expensive for small runs
 Programmable (once)
 PROM
 Needs special equipment to program
 Read “mostly”
 Erasable Programmable (EPROM)
 Erased by UV
 Electrically Erasable (EEPROM)
 Takes much longer to write than read
 Flash memory
 Erase whole memory electrically
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 12Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
RAM
 DRAM – Dynamic RAM
 Bits được lưu trữ trong các tụ điện
 Đơn giản, kích thước bé, giá thành rẻ
 Chậm, cần 1 chu trình làm tươi ngay cả khi đã được cung cấp nguồn
 SRAM – Static RAM
 Bits được lưu trong các flip-flops
 Không cần làm tươi, có tốc độ cao
 Phức tạp, kích thước to hơn, giá thành cao
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 13Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Dynamic RAM
 Đường địa chỉ được kích hoạt khi đọc/ghi bit
 Transistor switch closed (current flows)
 Ghi
 Voltage to bit line
 High for 1 low for 0
 Then signal address line
 Transfers charge to capacitor
 Đọc
 Address line selected
 transistor turns on
 Charge from capacitor fed via bit line to sense amplifier
 Compares with reference value to determine 0 or 1
 Capacitor charge must be restored
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 14Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Destructive Read
1
Vdd
Wordline Enabled
Sense Amp Enabled
bitline
voltage
Vdd
storage
cell voltage
sense amp
0
After read of 0 or 1, cell contains
something close to 1/2
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 15Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Row Buffer
Cơ chế làm tươi - refresh
 Sau khi đọc, nội dung của DRAM cell đã bị thay đổi
 Lưu các giá trị cells trong bộ đệm hàng row buffer
 Ghi lại các giá trị đó cho các cells trong lần đọc kế tiếp
Sense Amps
DRAM cells
 Thực tế, DRAM cell sẽ mất nội dung 
ngay cả khi không có tác vụ đọc
 lý do được gọi là “dynamic”
 Vì thế các cells trong DRAM cần được 
định kỳ đọc và ghi lại nội dung
1
Gate Leakage
0
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 16Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Static RAM
 Transistor arrangement gives stable logic state
 State 1
 C1 high, C2 low
 T1 T4 off, T2 T3 on
 State 0
 C2 high, C1 low
 T2 T3 off, T1 T4 on
 Address line transistors T5 T6 is switch
 Write – apply value to B & compliment to B
 Read – value is on line B
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 17Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
SRAM vs. DRAM
 Cả hai đều có tính chất volatile
 Cần cung cấp năng lượng để bảo quản dữ liệu
 Dynamic cell 
 Đơn giản, kích thước nhỏ gọn
 Mật độ cell cao
 Chi phí thấp
 Cần chu kỳ làm tươi
 Cho phép kết hợp thành các đơn vi nhớ lớn
 Static
 Nhanh hơn, cồng kềnh hơn
 Cho phép xây dựng các bộ nhớ Cache
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 18Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
Synchronous DRAM (SDRAM)
 Truy cập được đồng bộ hoá với một đồng hồ bên ngoài
 Địa chỉ được truyền đến RAM
 RAM tìm dữ liệu (CPU đợi như DRAM thông thường)
 Khi SDRAM chuyển dữ liệu theo thời gian đồng bộ với system clock, 
CPU biết được khi nào dữ liệu sẵn sàng
=> CPU không cần phải chờ và có thể làm việc khác
 Burst mode: cho phép SDRAM thiết lập dòng dữ liệu theo từng block
 Chỉ chuyển dữ liệu 1 lần trong 1 chu kỳ đồng hồ
 DDR-SDRAM - Double-data-rate 1 SDRAM 
 Gửi dữ liệu 2 lần trong một chu kỳ đồng hồ (leading & trailing edge)
 DDR2-SDRAM - Double-data-rate 2 SDRAM
 DDR3-SDRAM - Double-data-rate 3 SDRAM
 Cache DRAM: (misubishi)
 Tích hợp SRAM cache (16k) vào trong DRAM chip
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 19Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
DRAM Read Timing
Việc truy cập là không đồng 
bộ: được kiểm soát bởi các 
tín hiệu RAS & CAS, các tín 
hiệu này có thể được sinh ra 
ngẫu nhiên
Computer Architecture –Department of Information Systems @ Hoá NGUYEN 20Department of Information Systems @ NGUYỄN Ngọc Hoá
SDRAM Read Timing
Burst Length
Double-Data Rate (DDR) DRAM
transfers data on both rising and
falling edge of the clock
Timing figures taken from “A Performance Comparison of Contemporary
DRAM Architectures” by Cuppu, Jacob, Davis and Mudge
Command frequency
does not change