Đề thi Cuối học kỳ 1 môn Vật liệu bán dẫn - Năm học 2018-2019

Câu 1:(2.5 điểm) Dựa vào kiến thức đã học, hãy giải thích tại sao nồng độ hạt tải điện của

bán dẫn thuần (ni) rất nhạy cảm với độ rộng vùng cấm (Eg) và nhiệt độ của chất bán dẫn điện.

Câu 2: (2.0 điểm) Tính nồng độ hạt tải điện của chất bán dẫn điện thuần (intrinsic) Silic ở

điều kiện nhiệt độ phòng (300 K). Cho biết Nc = 2.86  1019 (cm-3), NV = 3.10  1019 (cm-3),

đọ rộng vùng cấm của Silic (Eg-Si) = 1.1242 (eV).

Câu 3:(3.5 điểm) Chất bán dẫn điện GaAs được pha tạp với nồng độ pha tạp NA = 1016 (cm-3)

ở nhiệt độ phòng. Cho biết độ rộng vùng cấm của GaAs (Eg-GaAs) = 1.43 (eV), NC = 4.4 

1017 (cm-3), NV = 8.3  1018 (cm-3)

a) Tính nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần GaAs (ni); nồng độ hạt tải điện tử (no) và

hạt tải điện lỗ trống (po) khi được pha tạp.

b) Tìm vị trí mức Fermi khi GaAs được pha tạp?

c) Vẽ giản đồ vùng năng lượng (vùng dẫn, vùng hóa trị, mức Fermi, .)

Đề thi Cuối học kỳ 1 môn Vật liệu bán dẫn - Năm học 2018-2019 trang 1

Trang 1

pdf 1 trang duykhanh 7820
Bạn đang xem tài liệu "Đề thi Cuối học kỳ 1 môn Vật liệu bán dẫn - Năm học 2018-2019", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

Tóm tắt nội dung tài liệu: Đề thi Cuối học kỳ 1 môn Vật liệu bán dẫn - Năm học 2018-2019

Đề thi Cuối học kỳ 1 môn Vật liệu bán dẫn - Năm học 2018-2019
Trang1 
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT 
THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH 
KHOAKHOA HỌC ỨNG DỤNG 
Bộ môn Công nghệ Vật liệu 
------------------------- 
ĐỀ THI HỌC KỲINĂM HỌC 2018-2019 
Môn: Vật liệu bán dẫn 
Mã môn học: SEMA320712 
Đề thi có 01 trang. 
Ngày thi: 28/12/2018 Thời gian: 60 phút 
SV được phép sử dụng tài liệu in hoặc viết trên giấy 
Câu 1:(2.5 điểm) Dựa vào kiến thức đã học, hãy giải thích tại sao nồng độ hạt tải điện của 
bán dẫn thuần (ni) rất nhạy cảm với độ rộng vùng cấm (Eg) và nhiệt độ của chất bán dẫn điện. 
Câu 2: (2.0 điểm) Tính nồng độ hạt tải điện của chất bán dẫn điện thuần (intrinsic) Silic ở 
điều kiện nhiệt độ phòng (300 K). Cho biết Nc = 2.86 1019 (cm-3), NV = 3.10 1019 (cm-3), 
đọ rộng vùng cấm của Silic (Eg-Si) = 1.1242 (eV). 
Câu 3:(3.5 điểm) Chất bán dẫn điện GaAs được pha tạp với nồng độ pha tạp NA = 1016 (cm-3) 
ở nhiệt độ phòng. Cho biết độ rộng vùng cấm của GaAs (Eg-GaAs) = 1.43 (eV), NC = 4.4 
1017 (cm-3), NV = 8.3 1018 (cm-3) 
a) Tính nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần GaAs (ni); nồng độ hạt tải điện tử (no) và 
hạt tải điện lỗ trống (po) khi được pha tạp. 
b) Tìm vị trí mức Fermi khi GaAs được pha tạp? 
c) Vẽ giản đồ vùng năng lượng (vùng dẫn, vùng hóa trị, mức Fermi, .) 
Câu 4:(2 điểm) 
a)Tính độ dẫn điện () của bán dẫn điện thuần Silic ở điều kiện nhiệt độ phòng (300 
K). Cho biết n = 1.41 1016 (m-3), e = 0.145 m2/Vs, p = 0.05 m2/Vs. 
b)Từ đó suy ra sự đóng góp vào độ dẫn điện của từng thành phần (điện tử và lỗ trống). 
Ghi chú:Cán bộ coi thi không được giải thích đề thi. 
Chuẩn đầu ra của học phần Nội dung kiểmtra 
[CĐR 3.1] Trình bày hiểu biết của mình thông qua năng lực giải quyết vấn 
đề và trả lời các câu hỏi liên quan đến các khái niệm đã học. 
[CĐR 1.1] Trình bày hiểu biết của mình thông qua năng lực giải quyết vấn 
đề và trả lời các câu hỏi liên quan đến các khái niệm đã học. 
Câu 1, 3(a) 
[CĐR 2.1.1] Vận dụng kiến thức về cơ học để giải bài tập có liên quan Câu 2, 3(a), 3(b) 
[CĐR 2.1.1] Vận dụng kiến thức về cơ chế dẫn, các phương trình cơ bản 
của bán dẫn để giải thích các hiện tượng liên quan đến linh kiện bán dẫn và 
giải bài tập về linh kiện bán dẫn. 
Câu 4 
Ngày 26 tháng 12 năm 2018 
Thông qua Trưởng Bộ môn 

File đính kèm:

  • pdfde_thi_cuoi_hoc_ky_1_mon_vat_lieu_ban_dan_nam_hoc_2018_2019.pdf