Kiểm tra giữa học kì môn Kỹ thuật tổng hợp và điều khiển các bộ BĐCS
Câu 2: Cho mạch như hình 2(a), khoá bán dẫn T là transistor, giả thiết diode D là lý tưởng và tài có điện cảm đủ lớn để dòng tải Io có thế coi là không đổi. Khi đó, điện áp và dòng điện qua T có dạng như hình 2(b), trong đó VON là điện áp trên T khi linh kiện dẫn ở chế độ xác lập.
1. Hãy tính năng lượng tổn hao trên T trong một chu kỳ đóng ngắt ờ chế độ xác lập, từ đó suy ra công thức tính công suất tổn hao trên T trong chế độ xác lập. (2đ)
2. Biết năng lượng tổn hao trên linh kiện ưong quá trình đỏng cắt hình 2(b) có thề tính theo công thức: w =- VdIo (c<«)+ tcioff))="" ’="" hãy="" suy="" ra="" công="" thức="" tính="" công="" suất="" tổn="" hao="" trên="" t="" trong="" quá="" trình="" đóng="" cắt.="">«)+>
3. Cho transistor T là MOSFET có thông số: RDS(ON) = 0.5ÍÌ, tc(on) = 0.5ps, tc(Ofí) = 1 |1S, và các thông số của mạch: tần số đóng cắt fs = 40kHz, duty cycle = tơn/Ts = 0.5, dòng tải Io = 20A, điện áp nguồn Vd = 400V. Tính công suất tổn hao tổng trên MOSFET. (Iđ)
Trang 1
Trang 2
Trang 3
Trang 4
Trang 5
Tóm tắt nội dung tài liệu: Kiểm tra giữa học kì môn Kỹ thuật tổng hợp và điều khiển các bộ BĐCS
ĐÈ KIÊM TRA GIỮA HỌC KỲ MÔN: KỸ THUẬT TÒNG HỢP VÀ ĐIỀU KHIẺN CÁC Bộ BĐCS Thòi gian: 45 phút (Sinh viên được sử dụng tài liệu liên quan Các câu hỏi dưới đây đều là bắt buộc) Câu 1: Cho mạch như hình 1, trong đó vd = 500V, Rc = 1 OíỊ transistor T| là BJT kiểu Darlington, có hệ số khuếch đại p biến thiên trong khoảng 50 đến 75. Khi transistor bão hoà: VcE(sat) = 2V, VBE(sat) = 1.5V. Hãy tính giá trị cần thiết của Rb để transistor có thể hoạt động ở chế độ bâo hoà với điện áp điều khiển Vb = 15V (2đ). Khi điều khiển tắt Tl, điện áp VB nên là ov hoặc < ov, tại sao? (Iđ) Hình 2(a) (Xem tiếp trang sau) 1 Câu 2: Cho mạch như hình 2(a), khoá bán dẫn T là transistor, giả thiết diode D là lý tưởng và tài có điện cảm đủ lớn để dòng tải Io có thế coi là không đổi. Khi đó, điện áp và dòng điện qua T có dạng như hình 2(b), trong đó Von là điện áp trên T khi linh kiện dẫn ở chế độ xác lập. Hãy tính năng lượng tổn hao trên T trong một chu kỳ đóng ngắt ờ chế độ xác lập, từ đó suy ra công thức tính công suất tổn hao trên T trong chế độ xác lập. (2đ) Biết năng lượng tổn hao trên linh kiện ưong quá trình đỏng cắt hình 2(b) có thề tính theo công thức: w =- VdIo (c<«)+ tcioff)) ’ hãy suy ra công thức tính công suất tổn hao trên T trong quá trình đóng cắt. (Iđ) Cho transistor T là MOSFET có thông số: RDS(ON) = 0.5ÍÌ, tc(on) = 0.5ps, tc(Ofí) = 1 |1S, và các thông số của mạch: tần số đóng cắt fs = 40kHz, duty cycle = tơn/Ts = 0.5, dòng tải Io = 20A, điện áp nguồn Vd = 400V. Tính công suất tổn hao tổng trên MOSFET. (Iđ) Câu 3: Cho mạch như hình 3(a), trong đó La là điện cảm ký sinh của mạch và dòng qua diode quá trình chuyển mạch tắt như hình 3(b). Xét quá trình chuyển mạch tẳt cùa diode xảy ra khi T được kích dẫn. Tính biên độ dòng phục hồi ngược Irr cùa diode, biết: Vd = 500V, Lo = lOpH, trr = Ips. (Iđ) Biên độ điện áp VDf là bao nhiêu nếu thời gian dòng ỈDf giảm về zero là không đáng kể như hình 3(b) (Iđ). Đề nghị giải pháp khắc phục trong trường hợp điện áp này quá lớn (Iđ) - /ỡW 2- f) 4>ỉ '-fiic/i . 221 \<n - -ị í 2e(s~; ■* co ẨO K ìũ
File đính kèm:
- kiem_tra_giua_hoc_ki_mon_ky_thuat_tong_hop_va_dieu_khien_cac.docx
- 132_401003_a01_kthuatthopvadkbobdoics_kiemtra_2441 (1)_2298797.pdf