Đề thi Cuối học kỳ 1 môn Vật liệu bán dẫn - Năm học 2018-2019
Câu 1:(2.5 điểm) Dựa vào kiến thức đã học, hãy giải thích tại sao nồng độ hạt tải điện của
bán dẫn thuần (ni) rất nhạy cảm với độ rộng vùng cấm (Eg) và nhiệt độ của chất bán dẫn điện.
Câu 2: (2.0 điểm) Tính nồng độ hạt tải điện của chất bán dẫn điện thuần (intrinsic) Silic ở
điều kiện nhiệt độ phòng (300 K). Cho biết Nc = 2.86 1019 (cm-3), NV = 3.10 1019 (cm-3),
đọ rộng vùng cấm của Silic (Eg-Si) = 1.1242 (eV).
Câu 3:(3.5 điểm) Chất bán dẫn điện GaAs được pha tạp với nồng độ pha tạp NA = 1016 (cm-3)
ở nhiệt độ phòng. Cho biết độ rộng vùng cấm của GaAs (Eg-GaAs) = 1.43 (eV), NC = 4.4
1017 (cm-3), NV = 8.3 1018 (cm-3)
a) Tính nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần GaAs (ni); nồng độ hạt tải điện tử (no) và
hạt tải điện lỗ trống (po) khi được pha tạp.
b) Tìm vị trí mức Fermi khi GaAs được pha tạp?
c) Vẽ giản đồ vùng năng lượng (vùng dẫn, vùng hóa trị, mức Fermi, .)
Trang 1
Tóm tắt nội dung tài liệu: Đề thi Cuối học kỳ 1 môn Vật liệu bán dẫn - Năm học 2018-2019
Trang1 TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOAKHOA HỌC ỨNG DỤNG Bộ môn Công nghệ Vật liệu ------------------------- ĐỀ THI HỌC KỲINĂM HỌC 2018-2019 Môn: Vật liệu bán dẫn Mã môn học: SEMA320712 Đề thi có 01 trang. Ngày thi: 28/12/2018 Thời gian: 60 phút SV được phép sử dụng tài liệu in hoặc viết trên giấy Câu 1:(2.5 điểm) Dựa vào kiến thức đã học, hãy giải thích tại sao nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần (ni) rất nhạy cảm với độ rộng vùng cấm (Eg) và nhiệt độ của chất bán dẫn điện. Câu 2: (2.0 điểm) Tính nồng độ hạt tải điện của chất bán dẫn điện thuần (intrinsic) Silic ở điều kiện nhiệt độ phòng (300 K). Cho biết Nc = 2.86 1019 (cm-3), NV = 3.10 1019 (cm-3), đọ rộng vùng cấm của Silic (Eg-Si) = 1.1242 (eV). Câu 3:(3.5 điểm) Chất bán dẫn điện GaAs được pha tạp với nồng độ pha tạp NA = 1016 (cm-3) ở nhiệt độ phòng. Cho biết độ rộng vùng cấm của GaAs (Eg-GaAs) = 1.43 (eV), NC = 4.4 1017 (cm-3), NV = 8.3 1018 (cm-3) a) Tính nồng độ hạt tải điện của bán dẫn thuần GaAs (ni); nồng độ hạt tải điện tử (no) và hạt tải điện lỗ trống (po) khi được pha tạp. b) Tìm vị trí mức Fermi khi GaAs được pha tạp? c) Vẽ giản đồ vùng năng lượng (vùng dẫn, vùng hóa trị, mức Fermi, .) Câu 4:(2 điểm) a)Tính độ dẫn điện () của bán dẫn điện thuần Silic ở điều kiện nhiệt độ phòng (300 K). Cho biết n = 1.41 1016 (m-3), e = 0.145 m2/Vs, p = 0.05 m2/Vs. b)Từ đó suy ra sự đóng góp vào độ dẫn điện của từng thành phần (điện tử và lỗ trống). Ghi chú:Cán bộ coi thi không được giải thích đề thi. Chuẩn đầu ra của học phần Nội dung kiểmtra [CĐR 3.1] Trình bày hiểu biết của mình thông qua năng lực giải quyết vấn đề và trả lời các câu hỏi liên quan đến các khái niệm đã học. [CĐR 1.1] Trình bày hiểu biết của mình thông qua năng lực giải quyết vấn đề và trả lời các câu hỏi liên quan đến các khái niệm đã học. Câu 1, 3(a) [CĐR 2.1.1] Vận dụng kiến thức về cơ học để giải bài tập có liên quan Câu 2, 3(a), 3(b) [CĐR 2.1.1] Vận dụng kiến thức về cơ chế dẫn, các phương trình cơ bản của bán dẫn để giải thích các hiện tượng liên quan đến linh kiện bán dẫn và giải bài tập về linh kiện bán dẫn. Câu 4 Ngày 26 tháng 12 năm 2018 Thông qua Trưởng Bộ môn
File đính kèm:
- de_thi_cuoi_hoc_ky_1_mon_vat_lieu_ban_dan_nam_hoc_2018_2019.pdf