Phân tích thông số điện máy biến áp lực từ kết quả đo điện dung và đáp ứng tần số
Hiện nay, kỹ thuật phân tích $áp ứng tần số
(PTĐƯTS) $ã $ược áp dụng trong quy trình thí
nghiệm máy biến áp lực (MBA) tại các công ty thí
nghiệm $iện nhưng chủ yếu vẫn chỉ mang tính
chất cảnh báo dựa trên sự sai khác $ặc tuyến $áp
ứng tần số của cuộn dây giữa các lần $o ở các
thời $iểm khác nhau, giữa các pha của cùng một
MBA hay của các MBA giống nhau [1−3]. Sự sai
khác này sẽ $ược $ánh giá chẩn $oán $ịnh tính
(theo kinh nghiệm chuyên gia, kết hợp với hướng
dẫn, tiêu chuẩn quốc tế CIGRE và IEEE) hay $ánh
giá $ịnh lượng (thông qua các hệ số tương quan
trong 03 phân vùng tần số theo tiêu chuẩn Trung
Quốc DL/T-911 [4]).
Trong thực tế, việc $ánh giá $ịnh tính phụ
thuộc lớn vào kinh nghiệm chuyên gia nên có thể
rất tản mạn và không có tính thuyết phục trong
quy trình chẩn $oán. Đánh giá $ịnh lượng theo
tiêu chuẩn Trung Quốc cũng chỉ có ý nghĩa tham
khảo vì có nhiều yếu tố chưa $ược khảo sát trong
tiêu chuẩn này như loại MBA, kiểu dây quấn, tổ
$ấu dây. Để cung cấp thêm thông tin $ánh giá
$ịnh lượng các kết quả $o $áp ứng tần số (ĐƯTS)
cho các loại MBA ba pha hai cuộn dây, bài viết giới
thiệu một phương pháp xác $ịnh các thông số
PHâN TíCH THôNG sỐ ĐIỆN
MÁY BIẾN ÁP LỰC TỪ KẾT qUẢ ĐO
ĐIỆN DUNG VÀ ĐÁP ỨNG TẦN sỐ
ThS. NGUYỄN KHẮC HIỆU, ThS. NGUYỄN SĨ HUY CƯỜNG
Công ty Thí nghiệm điện miền Nam
KS. NGÔ VĂN HIỀN
Công ty CPNnghiên cứu & Thí nghiệm điện
PGS.TS. PHẠM ĐÌNH ANH KHÔI
Trường ĐH Bách Khoa – ĐH Quốc Gia TP. HCM
$iện trong mô hình $iện thông số tập trung của
MBA, góp phần nâng cao chất lượng chẩn $oán
sự cố $iện và cơ vốn $ang dựa vào các kỹ thuật
thử nghiệm truyền thống.

Trang 1

Trang 2

Trang 3

Trang 4

Trang 5

Trang 6

Trang 7
Tóm tắt nội dung tài liệu: Phân tích thông số điện máy biến áp lực từ kết quả đo điện dung và đáp ứng tần số
ánh
vật lý các hiện tượng $iện từ xảy ra trong MBA ở
UǏOTǹUIǍQ Uȓ)[ÐǧOUǹJÐBWJDIȍDL)[U¸Z
loại MBA và cấu tạo cuộn dây) nên các thông số
$iện trong mô hình (bảng 1) có thể $ược sử dụng
$ể phân tích các chế $ộ vận hành cũng như sự cố
cho MBA có tổ $ấu dây bất kỳ.
Hình 1 – Mô hình thông số tập trung cho một MBA hai
cuộn dây YNyn6
L3
R1 L1
Ly
Ry
NH:NL
RL
A
B
C
RH
a
b
c
R1 L1
NH:NL
RLRH
R1 L1
NH:NL
RLRH
NH:NH
NH:NH
NH:NH
Ly
Ry
L4
L4R4
R4
L4R4
CsH
CsH
CsH
CsL
CsL
CsL
CgH/2
CgH/2
CgH/2
CgH/2
CgH/2
CgH/2
CgL/2
CgL/2
CgL/2
CgL/2
CgL/2
CgL/2
Ciw/2 x 6
L3
L3
N
n
BẢN TIN HỘI ĐIỆN LỰC MIỀN NAM - THÁNG 4 / 2018 11
Bảng 1. Giải thích các thông số MBA trong hình 1
Thông số &iện
5ǽOHUSȇM´JUI¨Q QIB
R1//L1 (trụ) và Ry//Ly (gông)
Tổng trở rò (pha) RH, RL, L3
Tổng trở thứ tự không (pha) R4//L4
Điện dung pha các cuộn dây
- Dọc (series) CsH, CsL
- Đối-với-$ất (ground) CgH, CgL
- Liên-cuộn-dây
(inter-winding) Ciw
III. XÁC ĐỊNH THÔNG SỐ ĐIỆN DỰA TRÊN CÁC
PHÉP ĐO
Các thông số $iện trong mô hình thông số tập
trung MBA ở hình 1 có ảnh hưởng lớn $ến biên
ÐȁÏŁ54 IȇNljDI
HǻNÐJǯODNjNM´JUI¨Q -1,
Ly) và các $iện dung các cuộn dây (Cs, Cg, Ciw). Để
minh họa, hình 2 giới thiệu một kết quả $o ĐƯTS
tiêu biểu của một cuộn dây trong một MBA với
ba phân vùng ảnh hưởng chính ở tần số thấp:
1) vùng ảnh hưởng chủ yếu bởi các $iện cảm lõi
UI¨QWȃJÐJǫNÐǟDUSłOHŪ*/%ūUłŀOHȑOHWȃJH²D
QIB UDZTǹÐJǯO Q
HǏOźp
W¸OHNjOIIłȇOH
chính bởi các $iện dung các cuộn dây với $iểm
$ặc trưng “CAP” tương ứng với góc pha (tỉ số $iện
Q
HǏOp
W¸OHUłŀOHU DHJȗBD DÐJǯODNjN
và $iện dung trên, với các $iểm cộng hưởng $ặc
USłOHŪ3&4ū H²DQIBHǏOp
NJOIIłȇOHDȏBD D
thông số tổn hao ($iện trở, $iện dẫn) không $áng
kể tại các $iểm “IND” và “CAP” (do góc pha $ạt
cực trị), và dễ dàng xác $ịnh tại các $iểm “RES”
(theo giải pháp mô phỏng). Các thông số khác chỉ
có ảnh hưởng lớn ở vùng tần số trung bình và cao
nên sẽ không $ược khảo sát.
A. XÁC ĐỊNH THÔNG SỐ ĐIỆN DUNG
Các giá trị $iện dung $ối với $ất (CgH, CgL) và
liên cuộn dây (Ciw) trong hình 1 $ược xác $ịnh
EșBWPQI¨QUIȕOHIJǯNUSVZǩOUIǹOHŪÐPÐJǯO
EVOHWUǽOIBPÐJǯON³Jū5SPOHQI¨QÐPOZ
$ầu cực các cuộn dây pha cần $ấu nối với nhau
$ể xác $ịnh giá trị tổng cộng ba pha (tương ứng là
CHG, CLG, CHL trong hình 3); theo $ó, chỉ cần ít nhất
QI¨QÐPQI¡OCJǯUOIBVUSPOHCNjOHMD²UIǫ
xác $ịnh các $iện dung tổng cộng CHG, CLG, CHL, từ
$ó tính $ược các $iện dung pha CgH, CgL, Ciw.
Hình 2 – Ba phân vùng ảnh hưởng của các thông số chính
trên đặc tuyến biên độ ĐƯTS hở mạch
Hình 3 – Sơ đồ nguyên lý các điện dung 3 pha trong MBA
hai cuộn dây
Bảng 2. Các phép =o =iện dung MBA hai cuộn dây [5]
TT Chế $ộ
Nguồn
cấp
Nối
$ất
Bảo
vệ
UST
Giá
trị
1 UST HV – – LV CHL
2 UST LV – – HV CHL
3 GST HV LV – – CHL+ CHG
4 GST LV HV – – CHL+ CLG
5 GSTg HV – LV – CHG
6 GSTg LV – HV – CLG
Trong mô hình mạch thông số tập trung ở
hình 1 vẫn còn thông số $iện dung dọc của các
cuộn dây (CsH, CsL) chưa $ược xác $ịnh. Do các
$iện dung này không $o $ược nên sẽ $ược xác
$ịnh gián tiếp thông qua mô phỏng sử dụng công
cụ Simulink/Matlab. Theo $ó, nếu biên $ộ ĐƯTS
N³QIǷOH LIJDIłBY¨UD²ÐJǯOEVOHEǵDUSPOH
mô hình) có sự sai khác so với biên $ộ ĐƯTS $o
lường ở $iểm “CAP”, tức ảnh hưởng của $iện dung
dọc là $áng kể so với các $iện dung $o $ược, một
giá trị hợp lý của bộ {CsH, CsL} sẽ $ược thêm vào $ể
cân bằng sự sai khác này.
B. XÁC ĐỊNH THÔNG SỐ ĐIỆN CẢM
Trong thực tế vận hành, các công ty $iện lực
DIDZD²LǧURVNjD DQI¨QÐPÏŁ54UJ©VDIVǑOEljOH
tỉ số $iện áp. Vì vậy, nhu cầu thực tế là cần có
12 BẢN TIN HỘI ĐIỆN LỰC MIỀN NAM - THÁNG 4 / 2018
một phương pháp tính toán gián tiếp, dựa trên
nguyên lý khảo sát sự thay $ổi của $ặc tuyến
ÏŁ54 IȇNljDI
UIFPHJ USdzD DÐJǯODNjNM´JUI¨Q
(L1 và Ly
ȇUǏOTǹUIǍQ Uȓ)[ÐǧOWJUSÂN)[
theo minh họa ở hình 4.
Hình 7. Sơ đồ khối của hệ thống xử lý logic mờ
Hình 4 – Mô phỏng sự thay đổi của đặc tuyến biên độ
ĐƯTS theo giá trị L1 và Ly ở tần số thấp
Từ hình 4 có thể rút ra quy luật ảnh hưởng của
$iện cảm L1 và Ly $ến biên $ộ ĐƯTS trong vùng
tần số thấp như sau:
y Khi $iện cảm L1, Ly tăng, $ặc tuyến có xu hướng
giảm, dịch chuyển $i xuống (trục biên $ộ); $ồng thời,
các $iểm cộng hưởng dịch sang trái (trục tần số).
y Khi $iện cảm L1, Ly giảm, $ặc tuyến có xu
hướng tăng (trục biên $ộ); $ồng thời, $iểm cộng
hưởng bị dịch chuyển sang phải (trục tần số).
y Tỉ lệ Ly/L1 càng lớn, khoảng cách giữa hai
$iểm cộng hưởng càng lớn và ngược lại.
Dựa vào quy luật này, các giá trị L1 và Ly (áp
dụng cho từng pha) sẽ $ược xác $ịnh $ịnh lượng
theo sai số ở ba vị trí, minh họa ở hình 5: $iểm
“IND”, ΔMag(sim-mea), và 2 $iểm cộng hưởng
“RES”, Δf_res1(sim-mea) và Δf_res2(sim-mea),
theo lưu $ồ giải thuật $ược giới thiệu ở hình 6,
với các thông số ɛ1, ɛ2, ɛ3 là giới hạn sai số theo $ộ
chính xác mong muốn.
Hình 5. Các sai số xác định thông số điện cảm
Sai
Đúng
L1 = L1 + ΔL1Ly = L + ΔLyyy
Tính toán ΔL1, ΔLy bằng Fuzzy logic
Kết thúc
Chọn các giá trị L1 và Ly ban đầu
Mô phỏng ĐƯTS, so
sánh với kết quả đo
Xác định các sai số:
ΔMag(sim-mea)
Δf_res1(sim-mea)
Δf_res2(sim-mea)
|ΔMag(sim-mea)| ≤ɛ1 |Δf_res1(sim-mea)| ≤ ɛ2 |Δf_res2(sim-mea)| ≤ ɛ3
Bắt đầu
|Δf_res1(sim-mea)| ≤ ɛ2
Hình 6. Lưu đồ xác định điện cảm L1 và Ly
Hình 7 thể hiện quá trình xử lý của hệ thống
logic mờ. Đầu tiên, ba biến ngõ vào sẽ $ược mờ
hóa thành vector ngõ vào qua bước mờ hóa. Bộ
xử lý chứa các hàm thành viên là tập hợp tất cả
các trường hợp có thể có của ngõ vào và $áp ứng
tương ứng dựa theo hệ tri thức, chính là các quy
luật tác $ộng của các $iện cảm $ến biên $ộ ĐƯTS
mô phỏng trong vùng tần số thấp. Vector ngõ
vào sau khi qua bộ xử lý sẽ cho ra vector ngõ ra
tương ứng, và bước giải mờ chuyển tín hiệu này
thành biến ngõ ra. Hệ thống xử lý logic mờ trong
hình 8 $ược thiết kế theo hệ thống “Mandani” 3
ngõ vào (các sai số ở hình 5) và 2 ngõ ra (ΔL1 và
ΔLy) với các luật như sau: “And method” MIN, “Or
method” MAX, “Implication” MIN, “Aggregation”
."9
Ū%FGV[[JGJDBUJPOū $&/530*%
NJOI IǵB
trong hình 8.
BẢN TIN HỘI ĐIỆN LỰC MIỀN NAM - THÁNG 4 / 2018 13
Hình 8. Thiết kế khâu xử lý mờ
IV. TRƯỜNG HỢP KHẢO SÁT 1 – PHÂN TÍCH
SỰ CỐ CHẬP VÒNG TRONG MỘT MBA 110 kV
A. ĐỐI TƯỢNG KHẢO SÁT
Do các MBA 110 kV chiếm tỷ lệ lớn trong lưới
$iện truyền tải và phân phối của miền Nam, hai
MBA có thông số tương tự nhau 63 MVA, 115/23
kV ($ặt tên là T1 và T2) với thông tin chi tiết cho ở
bảng 3 $ược chọn thí $iểm $ể khảo sát ứng dụng
phương pháp $ề xuất.
Bảng 3. Thông số các MBA thử nghiệm
Số pha 3 pha Công suất 63 MVA
Cách $iện Dầu Điện áp 115/23 kV
Năm sản
xuất 2008 Tổ $ấu dây YNyn0
Trong hai MBA này, MBA T1 ở tình trạng vận
hành bình thường còn MBA T2 $ã bị sự cố và cô
lập vận hành. Do MBA T2 không có dữ liệu $o
ĐƯTS trước $ây, các dữ liệu $o ĐƯTS của MBA T1
có thể xem như là dữ liệu ở tình trạng vận hành
bình thường của MBA T2 $ể phân tích.
B. CÁC KẾT QUẢ THỬ NGHIỆM TRUYỀN THỐNG
5SPOHTǹD DIljOHNȍDUI¬OHIJǯNDIǑOÐP OUSVZǩOUIǹOHТUIșDIJǯOÐǹJWȃJ.#"5
QI¨QÐP
tỉ số biến và thí nghiệm không tải $iện áp thấp, trình bày theo bảng 4, là bất thường và cho thấy, MBA
này nhiều khả năng bị ngắn mạch chập vòng cuộn dây pha C. Cụ thể, tỉ số biến pha C lệch ít nhất
OǍDÐJǩV Q
USPOHLIJÐȁMǯDIDIPQI¨QMUǽOIBPLI³OHUNjJQIB$M
8
_
MȃOIŀOSǍUOIJǩVTPWȃJHJ USdzDIPQI¨QÐǹJWȃJMPljJ.#"OZM$ DHJ USdzTBJTǹ
tỉ số biến và tổn hao không tải lớn nhất $ối với MBA T1 tương ứng là 0.11% và 0.31%.
Bảng 4. Kết quả =o tỉ số biến và thí nghiệm không tải MBA T2
Kết quả $o tỉ số biến Kết quả thí nghiệm không tải
Nấc KA KB KC % K Pha $o U0 (kV) I0 (mA) P0 (W)
1 5.8014 5.7997 6.6248 14.22 A 10 86.8 647
10 5.0043 5.0028 5.6537 13.07 B 10 86.6 642
19 4.2076 4.2063 4.7203 12.39 C 50 33.8 116,023
C. KẾT QUẢ PHÂN TÍCH TỪ PHÉP ĐO ĐIỆN DUNG VÀ ĐÁP ỨNG TẦN SỐ HỞ MẠCH
#NjOHHJȃJUIJǯVHJ USdzD DUI³OHTǹÐJǯOEVOH OIǕOÐłȋDUȓQI¡OU¬DID DQI¨QÐPÐJǯO
dung và tổn hao $iện môi) và $iện cảm (từ phương pháp $ề xuất, với các giới hạn sai số ε1= 0.5 dB, ε2
)[
ε3)[
DIP.#"5W5ÏǹJWȃJ.#"5
D²UIǫOIǕOUIǍZHJ USdzCǍUUIłȅOHDȏBÐJǯO
DNjNUłŀOHÐłŀOHUSȍM´JUI¨QQIB$ )
WÐJǯODNjNUłŀOHÐłŀOHD DH³OHM´JUI¨Q )
TPWȃJ
các thông số tương ứng (22.00 H và 23.19 H) của MBA T1. Các thông số $iện dung của MBA T2 $ều
không thay $ổi so với MBA T1.
Î
Î
14 BẢN TIN HỘI ĐIỆN LỰC MIỀN NAM - THÁNG 4 / 2018
Bảng 5. Thông số =iện dung và =iện cảm trong mô hình thông số tập trung MBA T1 và T2
MBA T1 MBA T2
Điện dung (nF) Điện cảm (H) Điện dung (nF) Điện cảm (H)
Ciw 1.862 Ly 23.19 Ciw 1.862 Ly 6.20
CgH 6.561 L1 (A, B, C) 22.00 CgH 6.561 L1 (C) 0
CgL 3.775 CgL 3.775 L1 (A, B) 22.00
Hình 9 và 10 giới thiệu so sánh kết quả các $ặc tuyến biên $ộ ĐƯTS mô phỏng (dựa trên mô hình
$iện thông số tập trung ở hình 1) và $o lường (thực hiện bởi thiết bị FRAX 101) trong vùng tần số thấp
DȏB.#"5W5UłŀOHȑOH
RVBвDIPQI¨QLIǛOHÐdzOID DUI³OHTǹÐJǯOEVOHWÐJǯODNjN USPOH
bảng 5) và các thông số phụ ($iện trở, $iện dẫn) $ã $ược xác $ịnh một cách phù hợp. Các $ộ lệch nhỏ
WǩCJ©OÐȁÏŁ54HJȗBN³QIǷOHWÐPMłȅOHUSPOHW¸OHUǏOTǹUȓ)[ÐǧO)[IPOUPOD²UIǫ
khắc phục $ơn giản bằng cách sử dụng $ặc tuyến phi tuyến $iện trở theo tần số R1(f) và Ry(f) thay vì
một giá trị hằng số $ã $ược chọn $ể $ơn giản hóa khâu mô phỏng.
Hình 9. So sánh đặc tuyến ĐƯTS mô phỏng và đo
lường của các cuộn dây MBA T1
Hình 10. So sánh đặc tuyến ĐƯTS mô phỏng và đo lường
của các cuộn dây MBA T2
Nếu phân tích $ịnh lượng các ĐƯTS $o lường trên pha C giữa hai MBA T1 và T2, hoặc giữa hai pha
ngoài cùng (A và C) của MBA T2 dựa trên các hệ số tương quan theo tiêu chuẩn DL/T-911 của Trung
Quốc [4], chỉ nhận $ược kết luận rằng “cuộn dây bị biến dạng trầm trọng”. Tuy nhiên, với phương pháp
$ề xuất, có thể phân tích dựa trên sự thay $ổi các thông số $iện một cách rõ ràng và thuyết phục hơn.
BẢN TIN HỘI ĐIỆN LỰC MIỀN NAM - THÁNG 4 / 2018 15
Các giá trị $iện dung của MBA T1 và T2 ở bảng 5 không có sự thay $ổi, chứng tỏ MBA T2 chưa có
sự cố cơ (biến dạng ngang và dọc trục) vì không có sự thay $ổi $áng kể cấu trúc hình học các cuộn
E¡ZÏJǯODNjNUłŀOHÐłŀOHUSȍM´JUI¨QQIB$HJNjNWǩHJ USdzLI³OH
CJǫVUIdzD²TșUIBZÐǽJMȃOWǩUȓ
UI³OHUSPOHM´JUI¨QQIBOZ7ǩOHVZ©OM¼
USPOHNljDIQIǏODVȁOE¡ZCdzDIǕQW±OHD²ÐJǯO QDNjN
ứng sẽ xuất hiện dòng $iện ngắn mạch, từ $ó lại sinh ra thêm thành phần từ thông ngược chiều, khử
từ thông chính ban $ầu. Như vậy, có cơ sở $ể khẳng $ịnh nhận $ịnh chập vòng cuộn dây pha C trong
MBA T2 dựa trên kết quả các thử nghiệm truyền thống trước $ây.
V. TRƯỜNG HỢP KHẢO SÁT 2 – PHÂN TÍCH HIỆN TƯỢNG TỪ DƯ TRONG MỘT MBA 500 KV
A. ĐỐI TƯỢNG KHẢO SÁT
Một MBA ba pha 525/23.5 kV 730 MVA YNd11 (T3) $ã $ược chọn $ể phân tích thông số trước và
TBVLIJLIȕUȓEłUSPOHM´JUI¨Q$ DQI¨QÐPUIȕOHIJǯNUSVZǩOUIǹOHÐǩVDIPLǧURVNjC«OIUIłȅOH
ngoại trừ có $ộ lệch biên $ộ ĐƯTS trong vùng tần số thấp, giới thiệu ở hình 11.
Hình 11. So sánh đặc tuyến ĐƯTS trước và sau khử từ của các cuộn dây MBA T3
B. KẾT QUẢ PHÂN TÍCH TỪ PHÉP ĐO ĐIỆN DUNG VÀ ĐÁP ỨNG TẦN SỐ HỞ MẠCH
Bảng 6 giới thiệu các thông số $iện dung và $iện cảm trong mô hình thông số tập trung cho MBA
T3 nhận $ược từ phương pháp $ề xuất. Các thông số $iện dung và $iện cảm tương $ương các gông
M´JUI¨Q -y) $ều không thay $ổi $áng kể trước và sau khi khử từ. Tuy nhiên, có thể dễ dàng nhận thấy
HJ USdzCǍUUIłȅOHDȏBÐJǯODNjNUłŀOHÐłŀOHUSȍM´JUI¨Q -1) cả 3 pha A, B, C trước khi khử từ (tương
ứng 15 H, 25.3 H và 22.5 H) so với sau khi khử từ (40.7 H ở cả 3 pha).
Bảng 6. Thông số =iện dung và =iện cảm trong mô hình thông số tập trung MBA T3 trước và sau khi khử từ
Trước khi khử từ Sau khi khử từ
Điện dung (nF) Điện cảm (H) Điện dung (nF) Điện cảm (H)
Ciw 10.455 L1 (A, B, C) 15, 25.3, 22.5 Ciw 10.455 L1 (A, B,C) 40.7
CgH 9.518 Ly 41.5 CgH 9.518 Ly 42.7
CgL 52.636 CgL 52.636
16 BẢN TIN HỘI ĐIỆN LỰC MIỀN NAM - THÁNG 4 / 2018
Hình 12 so sánh kết quả mô phỏng và =o lường ĐƯTS hở mạch của các cuộn dây pha MBA T3 trước khi khử
từ (hình 12a) và sau khi khử từ (hình 12b). Kết quả cho thấy các thông số =iện xác =ịnh dựa trên phương
pháp =ề xuất có =ộ tin cậy cao.
a) b)
Kết quả phân tích $ịnh lượng các ĐƯTS $o
lường các cuộn dây MBA T3 trước và sau khi
khử từ dựa trên các hệ số tương quan theo tiêu
chuẩn DL/T-911 của Trung Quốc cho thấy “cuộn
dây bình thường”. Tuy nhiên, sự thay $ổi không
ÐǻOHCȁDȏBD DÐJǯODNjNUSȍM´JUI¨QD¸OHWȃJTș
không thay $ổi ($áng kể) của các thông số $iện
EVOHWÐJǯO DNjNH³OH M´J UI¨QDIPQI¨QLǧU
MVǕOD²IJǯOUłȋOHUȓEłUSPOHM´JUI¨Q
WǹOQI¡O
CǹLI³OHÐǻOHCȁHJȗBD DUSȍM´JUI¨QQIȍUIVȁD
theo các yếu tố khác nhau như mức $ộ và thời
$iểm thao tác $óng cắt nguồn tác $ộng.
KẾT LUẬN
Bài viết $ã $ề xuất một phương pháp tin cậy
và khả thi trong việc xác $ịnh các thông số $iện
dung và $iện cảm trong mô hình thông số tập
USVOHDȏB.#"EșB US©OD DQI¨Q UIȕOHIJǯN
truyền thống và kỹ thuật phân tích $áp ứng tần
số, qua $ó cung cấp thêm thông tin $ịnh lượng
góp phần nâng cao chất lượng chẩn $oán các sự
cố chập vòng và phân tích từ dư cho các MBA tiêu
biểu 110 kV và 500 kV.
)JǯO UljJ
D D QI¨Q UIȕ OHIJǯN DIǑO ÐP O
(truyền thống và nâng cao) vẫn chưa $ược thực
hiện $ầy $ủ $ối với các MBA trên lưới $iện truyền
tải và phân phối miền Nam bởi các trang thiết bị
thử nghiệm công suất lớn vẫn chưa $ược trang
bị hoàn chỉnh. Vì vậy, phương pháp $ề xuất có
thể $ược ứng dụng $ể mở rộng cơ sở dữ liệu thử
nghiệm hiện tại cho các MBA, nhằm gia tăng chất
lượng chẩn $oán trong $iều kiện hiện nay.
TÀI LIỆU THAM KHẢO CHÍNH
[1] IEC 60076 -18, “Power Transformer – Part 18:
Measurement of Frequency Response,” 2012.
[2] IEEE C57.149, “IEEE Guide for the Application
and Interpretation of Frequency Response Analy-
sis for Oil Immersed Transformers,” 2012.
[3] CIGRE Report 342 Working Group A2.26,
“Mechanical condition assessment of transformer
windings using FRA,” 2008.
[4] DL/T 911, Chinese Standard, “Frequency Re-
sponse Analysis on Winding Deformation of Power
Transformer,” 2005
[5] M. Krüger, “Application Guide: Capacitance
and dissipation factor measurement with CPC 100
+ CP TD1,” Omicron GmbH, Austria, 2004.
[6] Tổng công ty Điện lực Việt Nam, “Quy trình
vận hành và sửa chữa máy biến áp,” ban hành
theo quyết +ịnh 623/ĐVN/KTNĐ, 1997.
Hình 12. So sánh đặc tuyến ĐƯTS mô phỏng và đo lường của các cuộn dây MBA T3 trước khử từ (a) và sau khử từ (b)
BẢN TIN HỘI ĐIỆN LỰC MIỀN NAM - THÁNG 4 / 2018 17
File đính kèm:
phan_tich_thong_so_dien_may_bien_ap_luc_tu_ket_qua_do_dien_d.pdf

