Kỹ thuật pwm cải tiến cho nghịch lưu 5 bậc cascade H-Bridge với khả năng tăng áp
Nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch (qSBI) có ưu điểm hơn so với nghịch lưu tựa
nguồn Z (qZSI), với việc giảm một tụ điện và một cuộn dây. Nghịch lưu tựa khóa chuyển mạch
không chỉ được áp dụng cho cấu hình liên kết cầu H (CHB) để tạo ra một bộ nghịch lưu năm
bậc một pha liên kết mới (NCHB-1P-5LI) mà còn giảm độ gợn dòng điện của cuộn cảm bằng
cách sử dụng hai sóng mang tần số cao Vcar1 và Vcar2, với Vcar2 được tạo ra bằng cách dịch
pha Vcar1 900. Bài báo này trình bày phân tích mạch, các nguyên lý hoạt động và kết quả mô
phỏng của CHB-5L-qSBI. Một mô hình thực nghiệm được xây dựng dựa trên bộ xử lý tín hiệu
số (DSP) TMS320F28335 để kiểm tra nguyên lý hoạt động của CHB-5L-qSBI.
Trang 1
Trang 2
Trang 3
Trang 4
Trang 5
Trang 6
Trang 7
Bạn đang xem tài liệu "Kỹ thuật pwm cải tiến cho nghịch lưu 5 bậc cascade H-Bridge với khả năng tăng áp", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
Tóm tắt nội dung tài liệu: Kỹ thuật pwm cải tiến cho nghịch lưu 5 bậc cascade H-Bridge với khả năng tăng áp
ợc trình bày trong [9]. Tuy nhiên, mỗi module của mạng nguồn kháng đã sử dụng hai tụ điện và hai cuộn dây khi mức điện áp ngõ ra yêu cầu cao hơn, dẫn đến kích thước của tụ điện và cuộn dây phải lớn hơn, kết quả sẽ làm tăng trọng lượng và giá thành của hệ thống. Để cải thiện những bất lợi về trọng lượng, kích thước và giá thành của hệ thống, một cấu hình nghịch lưu tăng áp bằng khóa chuyển mạch (SBI) được trình bày trong [10]. Trạng thái ngắn mạch để tăng áp của SBI được sử dụng giống như nghịch lưu tựa nguồn Z. Tuy nhiên, SBI sử dụng nhiều hơn một khóa tích cực và một diode so với nghịch lưu tựa nguồn Z. Một cấu hình mới được đề xuất đó là nghịch lưu tăng áp tựa khóa chuyển mạch (qSBI) được đề xuất trong [11] để giảm điện áp stress trên tụ, tăng hệ số tăng áp và cải tiến dòng điện ngõ vào. Một báo cáo về sự so sánh giữa hai cấu hình qSBI và qZSI được trình bày trong [12]. Những ưu điểm của qSBI so với qZSI có tính nổi trội như sau: sử dụng ít hơn một cuộn dây, với điện cảm cao hơn và sử dụng ít hơn một tụ điện với điện dung thấp hơn, hệ số tăng áp cao hơn khi so sánh cùng các thông số, dòng điện đặt trên diode và khóa tích cực thấp hơn và hiệu suất cao hơn. Do các ưu điểm của qSBI so với các cấu hình đã trình bày ở trên. Vì thế cấu hình CHB-5L-qSBI được phân tích và kiểm chứng thông qua mô phỏng bằng phần mềm PSIM và kiểm chứng trên mô hình thực nghiệm. 2. CẤU HÌNH NGHỊCH LƯU CASCADE H-BRIDGE 5 BẬC TỰA KHÓA CHUYỂN MẠCH L1 D11 Vdc1 C1 D12 iL R load S11 S12 S13 S14 S1 L2 D21 Vdc2 C2 D22 iL S21 S22 S23 S24 S2 Cf Lf - +V01 - +V02 Hình 1. Cấu trúc của bộ CHB-5L-qSBI L1 D11 Vdc S C1 D12 iL1 AC load L1 Vdc S C1 + iL1 AC load - L1 Vdc S C1 iL1 AC load (a) (b) (c) D11 D12 D11 D12 VPN + - VPN + - VPN Hình 2. Nguyên lý hoạt động của bộ CHB- 5L-qSBI Cấu trúc của mạch CHB-5L-qSBI gồm hai mạch nghịch lưu cầu H tựa khóa chuyển mạch (HB-qSBI) ghép nối tiếp với nhau là HB-qSBI trên (UHB-qSBI) và HB-qSBI dưới (LHB-qSBI) được biểu diễn như Hình 1. Mỗi mạch có cấu tạo gồm một mạng trở kháng (qSB) đặt phía trước mạch cầu H (HB). Mạng qSB gồm có một cuộn dây (L1 hoặc L2), một tụ điện (C1 hoặc C2) hai diode (D11, D12 hoặc D21, D22) và một khóa bán dẫn Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh 69 (S1 hoặc S2). HB có cấu tạo gồm 4 khóa bán dẫn (S11, S12, S13, S14 của UHB-qSBI) hoặc (S21, S22, S23, S24 của LHB-qSBI) được biểu diễn ở Hình. 1. Với cấu trúc này, mỗi HB có khả năng tạo ra 3 cấp điện áp ở ngõ ra: +VPN, 0, -VPN bằng cách kích đóng các khóa bán dẫn tương ứng được liệt kê như Bảng 1. Trong đó, VPN là điện áp ngõ ra của mạng qSB. Điện áp ngõ ra của CHB-5L-qSBI là tổng điện áp ngõ ra của hai mạch HB-qSBI. vcar1 VST S1 S11 S13 0 t 1 0 0 t t t -1 0 T vref_anvref_a -VST vcar2 D0T/2 S2 S21 S23 0 t 0 0 t tt1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8t0 t ΔIL1 =ΔIL2 = Tất cả các khóa ở UHB-qSBI được kích đóng cùng thời điểm = Tất cả các khóa ở LHB-qSBI được kích đóng cùng thời điểm Trạng thái ngắn mạch Trạng thái ngắn mạch t9 D0T/2 D0T/2 Hình 3. Kỹ thuật điều khiển PWM cải tiến của CHB-5L-qSBI Bảng 1. Trạng thái đóng cắt của HB-qSBI (x = 1, 2) Trạng thái Khóa được kích đóng Diode dẫn Điện áp ngõ ra NST 1 Sx, Sx1, Sx4 Dx2 +VPN Sx, Sx2, Sx4 0 Sx, Sx1, Sx3 0 Sx, Sx2, Sx3 -VPN NST 2 Sx1, Sx4 Dx1, Dx2 +VPN Sx, Sx2, Sx4 0 Sx, Sx1, Sx3 0 Sx, Sx2, Sx3 -VPN ST Sx1, Sx2, Sx3, Sx4, Dx1 0 Do đó, ngõ ra của mạch nghịch lưu có 5 bậc điện áp là: +2VPN, +VPN, 0, -VPN, -2VPN. Phương pháp PWM điều khiển mạch HB-5L-qSBI sử dụng hai tín hiệu tham chiếu dạng sine (Vref_a và Vref_an) và hai tín hiệu sóng mang có tần số cao lệch pha nhau 900 (Vcar1 và Vcar2) được biểu diễn ở Hình. 3. Tín hiệu tham chiếu có phương trình như sau: _ _ .sin( ) .sin( ) ref a ref an V m V m (1) Trong đó: m là chỉ số điều chế (0 ≤ m ≤ 1), 𝜃 là góc pha 0 ≤ 𝜃 ≤ 2𝜋. Hai tín hiệu 𝑉𝑆𝑇 và −𝑉𝑆𝑇 được sử dụng để tạo xung kích ngắn mạch cho mạch HB và các khóa Sx của mạch qSB. Trạng thái đóng ngắt các khóa của HB- 5L-qSBI được biễu diễn trong Hình. 3. Trong đó xung kích cho khóa S12 và S14 là nghịch đảo của S11 và S13. Tương tự cho 4 khóa S21, S22, S23, S24. Trạng thái ngắn mạch được tạo ra bằng cách kích đóng tất cả các khóa của HB được biểu thị bằng ký hiệu và cho mạch UHB-qSBI và LHB-qSBI. 2.1 Nguyên lý hoạt động Do hoạt động của hai mạch HB-qSBI là tương tự như nhau nên bài báo này chỉ phân tích nguyên lý hoạt động của mạch UHB- qSBI. Có hai chế độ chính trong suốt quá trình hoạt động của UHB-qSBI đó là: chế độ không ngắn mạch (NST) và chế độ ngắn mạch (ST). 2.1.1 Trạng thái không ngắn mạch Trạng thái NST 1: (từ t2 đến t3 và t6 đến t7) được biểu diễn như Hình. 2a. Trong trạng thái này, khóa S1 đóng, diode D11 phân cực ngược trong khi diode D12 phân cực thuận. Mạch nghịch lưu có thể tạo ra 3 cấp điện áp trên ngõ ra tùy thuộc vào trạng thái đóng ngắt của các khóa bán dẫn trên cầu H. Tụ điện C1 xả năng lượng trong khi cuộn dây L1 được nạp năng lượng từ nguồn. Điện áp qua cuộn dây L1 được xác định như sau: 1 1L dcV V (2) Trạng thái NST 2: (từ t1 đến t2, t3 đến t4, t5 đến t6 và t7 đến t8) được biểu diễn ở Hình. 2b. Khóa S1 được kích ngắt, mạch nghịch lưu tạo ra 3 cấp điện áp ở ngõ ra. Diode D11 và D12 phân cực thuận. Cuộn dây L1 truyền năng 70 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh lượng từ nguồn đến tải. Tụ điện C1 được nạp năng lượng. Điện áp qua cuộn dây được tính toán như sau: 1 1L dc CV V V (3) 2.1.2 Trạng thái ngắn mạch Trạng thái ST: (t0 đến t1, t4 đến t5 và t8 đến t9) được biểu diễn như hình 2c. Trong khoảng thời gian này, tất cả các khóa trên mạch cầu H được kích đóng đồng thời. Do đó điện áp ngõ ra cũng như điện áp DC-link của mạch nghịch lưu bằng không. Tụ điện C1 được cách ly ra khỏi mạch công suất do diode D12 phân cực ngược và khóa S1 được kích ngắt. Trong khi diode D11 được phân cực thuận. Cuộn dây L1 được nạp năng lượng từ nguồn DC ngõ vào. Tương tự như trạng thái NST 1, điện áp qua cuộn dây L1 được xác định như sau: 1L dcV V (4) 2.2 Phân tích trạng thái ổn định Tổng thời gian tồn tại của trạng thái ST và trạng thái NST 1 trong một chu kỳ sóng mang (từ t0 đến t9 được biểu diễn như Hình. 3) là 2D0T. Từ đó, dễ dàng xác định được thời gian tồn tại của trạng thái NST 2 là (1-2D0)T. Giả sử, tụ điện C1 có giá trị đủ lớn để điện áp trên tụ điện có giá trị không đổi trong suốt quá trình hoạt động. Điện áp của tụ C1 trong trạng thái xác lập được xác định như sau: 1 1 01 2 dc C V V D (5) Đối với phương pháp PWM điều khiển cho CHB-5L-qSBI được biểu diễn ở Hình. 3, thời gian ngắn mạch cho hai mạch cầu H cũng như thời gian kích đóng cho khóa S1 và S2 trong một chu kỳ sóng mang là như nhau. Do đó, điện áp trên tụ C2 được xác định như sau: 2 1 01 2 dc C C C V V V V D (6) Độ gợn sóng dòng điện qua 2 cuộn dây L1 và L2 là như nhau và được tính toán như: 0 1 2 L dcI V D Lf (7) Biên độ đỉnh của sóng hài bậc một điện áp ngõ ra được tính dựa trên chỉ số điều chế m, hệ số ngắn mạch D0 và điện áp ngõ vào như sau: 0 2 .2 . 1 2 dc x C V V m V m D (8) m là chỉ số điều chế và được xác định 0 1m (9) D0 là hệ số ngắn mạch và được xác định 0 1m D (10) 3. KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM 3.1 Kết quả mô phỏng Bảng 2. Thông số mô phỏng và thực nghiệm cho CHB-5L-qSBI. Thông số các thành phần Giá trị Điện áp ngõ vào Vdc 50 V Điện áp ngõ ra Vo 110 V Tần số ngõ ra fo 50 Hz Tần số sóng mang fs 5 kHz Tỉ số ngắn mạch D 0.273 Tỉ số điều chế M 0.727 Điện cảm L1 = L2 3mH/ 20 A Tụ điện C1 = C2 2200F/400 V Mạch lọc LC Lf và Cf 3mH và 10uF Tải trở Rt 40 Ω Hình 4. Kết quả mô phỏng từ trên xuống dưới: dạng sóng điện áp trên tụ (C1, C2) và điện áp ngõ vào (Vdc1, Vdc2), dòng điện của cuộn dây tăng áp (IL1 và IL2) cho CHB-5L-qSBI. Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh 71 Hình 5. Kết quả mô phỏng từ trên xuống dưới: dạng sóng điện áp trên tụ (C1, C2) và điện áp ngõ vào (Vdc1, Vdc2), dòng điện của cuộn dây tăng áp (IL1 và IL2) cho PWM thông thường. Bảng 2 liệt kê các thông số kỹ thuật của mô phỏng và thực nghiệm cho cấu hình CHB-5L-qSBI. Để kiểm tra nguyên lý hoạt động của CHB-5L-qSBI như trong Hình. 1, phần mềm mô phỏng PSIM được sử dụng. Khởi tạo Vdc1 = Vdc2 = 50 V. Điện áp ngõ ra của CHB-5L-qSBI có năm cấp; và điện áp tải là 110 Vrms. Hình 6. Kết quả mô phỏng dạng sóng dòng điện ngõ ra (IR) và điện áp ngõ ra (V0). Hình. 4, điện áp ngõ vào (Vdc1 và Vdc2) được khởi tạo 50V và điện áp trên tụ đạt (VC1 và VC2) 110V, dòng điện trên cuộn dây tăng áp (IL1 và IL2) 3.2A. Hình. 5 điện áp ngõ vào và điện áp trên tụ có giá trị như nhau tuy nhiên với giải thuật PWM thông thường giá trị dòng điện trung bình trên cuộn dây tăng áp đạt 4.0A. Như kết quả từ Hình. 4 và Hình. 5 có thể thấy rằng, dòng điện trung bình của cuộn tăng áp trong giải thuật PWM cải tiến giảm 0.8A so với giải thuật PWM thông thường. Hình. 6 có thể thấy rằng dòng điện hiệu dụng ngõ ra trên tải R đạt được 1.89A và điện áp ngõ ra hiệu dụng đạt được 156V. 3.2 Kết quả thực nghiệm Hình 7. Kết quả thực nghiệm dạng sóng ngõ ra của dòng điện Id và điện áp pha Vo Hình. 7, từ trên xuống dưới, có thể thấy rằng điện áp ngõ vào Vdc1=Vdc2=50V, điện áp trên tụ Vc1=Vc2=108V. Kết quả thực nghiệm gần với kết quả mô phỏng. Hình 8. Kết quả thực nghiệm dạng sóng dòng điện IL1 và IL2 của cuộn dây tăng áp. Hình 9. Kết quả thực nghiệm dạng sóng dòng điện ngõ ra (IR) và điện áp ngõ ra (V0). 72 Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh Hình. 8, dòng điện trên các cuộn dây tăng áp đạt IL1=IL2= 3.15A tại thời gian 40μs/div. Kết quả Hình. 8 so với kết quả mô phỏng Hình. 4 nhỏ hơn 0.05A. Bởi vì, trong kết quả thực nghiệm các khóa công suất phải chịu điện áp rơi còn kết quả mô phỏng điện áp rơi được xem như lý tưởng. Hình 10. Kết quả thực nghiệm THD của dòng điện ngõ ra (IR). Hình. 10 trình bày độ méo dạng dòng điện ngõ ra (THDi) đạt được 3.97% tại trị hiệu dụng dòng điện 1.674A. Với kết quả THDi này đã thỏa mãn tiêu chí nhỏ hơn 5% của tiêu chuẩn IEC61000-4-30 Edition 2 Class A [13]. Hình 11. Mô hình thực nghiệm cho CHB-5L- qSBI. Hình. 9 trình bày kết quả thực nghiệm của dòng điện ngõ ra (IR) và điện áp ngõ ra (V0). Từ kết quả này có thể thấy trị hiệu dụng dòng điện đạt được 1.73A và điện áp hiệu dụng ngõ ra đạt được 145V. Hình. 11 trình bày kết quả mô hình thí nghiệm cho hệ thống CHB-5L-qSBI. 4 KẾT LUẬN Bài báo này đã trình bày một mạng nguồn kháng qSB được kết nối với nghịch lưu cascade cầu H 1 pha năm bậc. Bên cạnh các tính năng tăng, giảm áp (Buck-Boost), chịu đựng ngắn mạch và đa bậc. Với giải thuật đã trình bày, giải thuật này còn có thể giảm độ gợn dòng điện của cuộn dây tăng áp. Nguyên lý hoạt động và kết quả mô phỏng và thực nghiệm cho cấu hình CHB- 5L-qSBI đã được phân tích phù hợp với cơ sở lý thuyết. Cấu hình và giải thuật cho CHB-5L-qSBI phù hợp với các ứng dụng công suất trung bình và nhỏ như: hệ thống PV, pin nhiên liệu và động cơ. LỜI CẢM ƠN Bài báo này được thực hiện tại phòng thí nghiệm điện tử công suất nâng cao D405 với sự hổ trợ của dự án KC186 của Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh. Danh mục từ viết tắt THD Total Harmonic Distortion qSBI Quasi Switch Boost Inverter CHB-FL Cascaded H-Bridge Five- Level CHB-5L-qSBI Cascaded H-Bridge Five- Level quasi switch bosst inverter qZS Quasi-Z-Source CHB Cascaded H-Bridge PWM Pulse Width Modulation IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor SPWM Sine Pulse Width Modulation Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 54 (09/2019) Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh 73 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Quách Thành Hải, Lê Huỳnh Lý, Đỗ Đức Trí, “Giải thuật điều chế sóng mang với đa sóng điều khiển cho nghịch lưu lai 5 bậc,” Tạp chí Khoa học Giáo dục Kỹ thuật, Trường Đại học Sư Phạm Kỹ thuật, số 41, Mar. 2017. [2] Multilevel inverters: a survey of topologies, controls, and applications’, IEEE Trans. Ind. Electron., 49, (4), pp. 724–738, 2002. [3] Kouro, S., Malinowski, M., Gopakumar, K., et al.: ‘Recent advances and industrial applications of multilevel converters’, IEEE Trans. Ind. Electron., 57, (8), pp. 2553– 2580, 2010. [4] Pereda, J., Dixon, J.: ‘Cascaded multilevel converters: optimal asymmetries and floating capacitor control’, IEEE Trans. Ind. Electron., 60, (11), pp. 4784–4793, 2013. [5] Rodriguez, J., Bernet, S., Steimer, P. K., et al.: ‘A survey on neutral-point clamped inverters’, IEEE Trans. Ind. Electron., 57, (7), pp. 2219–2230, 2010. [6] Druant, J., Vyncke, T., Belie, F. D., et al.: ‘Adding inverter fault detection to model- based predictive control for flying-capacitor inverters’, IEEE Trans. Ind. Electron., 62, (4), pp. 2054–2063, 2015. [7] Ding K., Cheng K.W.E., Zou Y.P.: ‘Analysis of an asymmetric modulation methods for cascaded multilevel inverters’, IET Power Electron., 5, (1), pp. 74–85, 2012. [8] Sun, D., Ge, B., Yan, X., et al.: ‘Modeling, impedance-design, and efficiency analysis of quasi-Z-source module in cascaded multilevel photovoltaic power system’, IEEE Trans. Ind. Electron., 61, (11), pp. 6108–6117, 2014. [9] Liu, Y., Ge, B., Abu-Rub, H., et al.: ‘An effective control method for quasi-Zsource cascade multilevel inverter-based grid-tie single-phase photovoltaic power system’, IEEE Trans. Ind. Inform., 10, (1), pp. 399–407, 2014. [10] Ravindranath, A., Mishra, S., Joshi, A.: ‘Analysis and PWM control of switched boost inverter’, IEEE Trans. Ind. Electron., 60, (12), pp. 5593–5602, 2013. [11] Nguyen, M. K., Le, T. V, Park, S. J, et al.: ‘A class of quasi-switched boost inverters’, IEEE Trans. Ind. Electron., 62, (3), pp. 1526–1536, 2015. [12] Nguyen, M. K., Lim, Y. C., Park, S. J.: ‘A comparison between single-phase quasi-Z- source and quasi-switched boost inverters’, IEEE Trans. Ind. Electron., 62, (10), pp. 6336–6344, 2015. [13] IEC 61000-4-30: 2015. Testing and Measuring Techniques—Power Quality Measurement Methods; IEC: Geneva, Switzerland, 2015. © 2019 by the authors. Submitted for possible open access publication under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution (CC BY) license ( Tác giả chịu trách nhiệm bài viết: Đỗ Đức Trí Trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật Tp. HCM Email: tridd@hcmute.edu.vn
File đính kèm:
- ky_thuat_pwm_cai_tien_cho_nghich_luu_5_bac_cascade_h_bridge.pdf