Giáo trình Kỹ thuật điện tử (Phần 2)
KHÁI NIỆM
Transistor hiệu ứng trường - FET (Field Effect Transistor) là một dạng linh kiện bán dẫn tích
cực. Khác với BJT là loại linh kiện được điều khiển bằng dòng điện, FET là linh kiện được điều
khiển bằng điện áp.
FET có ba chân cực là cực nguồn (S-Source), cực cổng (G- Gate) và cực máng (D- Drain).
FET có các ưu điểm nổi bật sau đây:
FET có trở kháng vào rất cao.
Nhiễu trong FET ít hơn nhiều so với BJT.
FET không bù điện áp tại dòng I = 0, do đó nó là linh kiện chuyển mạch tuyệt vời.
FET có độ ổn định về nhiệt cao.
FET có tần số làm việc cao.
Kích thước của FET nhỏ hơn của BJT nên có nhiều ưu điểm trong vi mạch.
Tuy nhiên, nhược điểm chính là hệ số khuếch đại điện áp của FET thấp hơn nhiều so với BJT
Trang 1
Trang 2
Trang 3
Trang 4
Trang 5
Trang 6
Trang 7
Trang 8
Trang 9
Trang 10
Tải về để xem bản đầy đủ
Tóm tắt nội dung tài liệu: Giáo trình Kỹ thuật điện tử (Phần 2)
àn kín, sau đó đổ tinh thể lỏng vào khoảng giữa hai tấm kính và gắn chặt lại. Hai tấm nhựa có tính phân cực ánh sáng được dán bên ngoài hai tấm tính sao cho hình ảnh phản chiếu của mặt chỉ thị được nhìn từ một phía nhờ gương phản chiếu. Hình 7.11. Cấu tạo LCD Ví dụ 7.5: Tại sao LCD có thể thay thế các mặt hiển thị LED, huỳnh quang: a. LCD nhìn được tốt khi môt trường xung quanh sáng b. LCD có tuổi thọ cao c. LCD có cấu tạo đợn giản d. Tất cả câu trên đều đúng 7.4. QUANG ĐIỆN TRỞ (PHOTORESISTOR) 7.4.1. Cấu tạo, nguyên lý hoạt động: Quang điện trở còn gọi là điện trở tùy thuộc ánh sáng LDR (Light Dependent Resistor) có trị số điện trở thay đổi theo cường độ ánh sáng chiếu vào quang điện trở. Khi bị che tối thì quang điện trở có trị số điện trở rất lớn, khi được chiếu sáng thì điện trở giảm nhỏ. CdS LDR Hình 7.12. Hình dạng và kí hiệu của điện trở quang Khi có ánh sáng chiếu vào chất bán dẫn (có thể là Cadmium sulfide – CdS, Cadmium selenide – CdSe) làm phát sinh các điện tử tự do, tức sự dẫn điện tăng lên và làm giảm điện trở của chất bán dẫn. Các đặc tính điện và độ nhạy của quang điện trở dĩ nhiên tùy thuộc vào vật liệu dùng trong chế tạo. Quang điện trở có trị số điện trở thay đổi không tuyến tính theo cường độ ánh sáng chiếu vào nó. Khi trong bóng tối điện trở quang có trị số khoảng vài chục mega Ohm, khi được chiếu sáng quang điện trở có trị số rất nhỏ khoảng vài chục đến vài trăm Ohm. 7.4.2. Ứng dụng Quang điện trở được sử dụng trong các mạch điều khiển, dùng làm cảm biến nhạy sáng trong các mạch dò sáng tối để đóng cắt đèn chiếu sáng Ví dụ 7.6: Mạch điều khiển bóng đèn sử dụng quang điện trở Chương 7: Linh kiện quang Trang 179 Hình 7.13. Mạch điều khiển bóng đèn dùng quang trở Khi trời sáng, LDR có giá trị điện trở nhỏ, Q1 hoạt động, Q2 tắt, đèn LED tắt. Khi trời tối, LDR có giá trị điện trở rất lớn, Q1 tắt, Q2 dẫn, đèn LED sáng. Ví dụ 7.7: Quang điện trở sử dụng trong mạch báo động Hình 7.14. Mạch báo động dùng quang trở Chọn câu trả lời đúng cho mạch báo động trên: a. Khi trời sáng, SCR dẫn điện, chuông kêu b. Khi trời tối, SCR dẫn điện,, chuông kêu c. Khi trời tối, SCR tắt, chuông không kêu d. Tất cả đều sai. 7.5. QUANG DIODE (PHOTODIODE) 7.5.1. Cấu tạo, nguyên lý hoạt động Quang diode có cấu tạo bán dẫn giống như diode thường nhưng đặt trong vỏ cách điện có một mặt là nhựa hay thủy tinh trong suốt để nhận ánh sáng bên ngoài chiếu vào mối nối P- N của diode, có loại dùng thấu kính hội tụ để tập trung ánh sáng Ký hiệu: Chương 7: Linh kiện quang Trang 180 Hình dạng: Hình 7.15. Hình dạng của quang diode Đối với diode thông thường khi phân cực thuận thì dòng điện thuận qua diode lớn do dòng hạt tải đa số di chuyển, khi phân cực nghịch thì dòng điện qua diode rất nhỏ do dòng hạt tải thiếu số di chuyển. Qua thí nghiệm cho thấy khi photodiode được phân cực thuận thì hai trường hợp mối nối P-N được chiếu sáng hay che tối dòng điện thuận qua diode hầu như không đổi. Ngược lại khi bị phân cực nghịch, mối nối P-N được chiếu sáng thì dòng điện nghịch tăng lên lớn hơn nhiều lần so với khi bị che tối. Do nguyên lý trên nên diode quang được sử dụng ở trạng thái phân cực nghịch trong các mạch điều khiển ánh sáng. Photodiode có đặc tính: rất tuyến tính, ít nhiễu, dãy tần số rộng, nhẹ, có sức bền cơ học cao. 7.5.2. Ứng dụng Photodiode được sử dụng nhiều trong các mạch điều khiển. Ví dụ 7.8: Mạch điều khiển bóng đèn sử dụng quang diode Hình 7.16. Mạch điều khiển bóng đèn dùng quang diode Khi trời sáng, photodiode D1 dẫn làm Q1 dẫn, đèn LED sáng. Khi trời tối, photodiode D1 không dẫn làm Q1 tắt, đèn LED tắt. Chương 7: Linh kiện quang Trang 181 Ví dụ 7.9: Mạch điều khiển đèn sử dụng quang diode. Hình 7.17. Mạch điều khiển bóng đèn dùng quang diode Khi trời sáng, photodiode D1 dẫn làm Q1 dẫn, Q2 tắt, đèn LED tắt. Khi trời tối, photodiode D1 không dẫn làm Q1 tắt, Q2 dẫn, đèn LED sáng. Ví dụ 7.10: 1. Quang diode được sử dụng ở chế độ phân cực nào a. Phân cực thuận b. Phân cực nghịch c. Quang diode hoạt động ở cả 2 chế độ phân cực tuy nhiên tính chất của quang diode thể hiện khi hoạt động ở chế độ phân cực nghịch. d. Tất cả đều sai. 2. Quang diode và LED khác nhau như thế nào. Chọn câu trả lời đúng: a. Quang diode là linh kiện thu quang, LED là linh kiên phát quang. b. Quang diode được sử dụng ở chế độ phân cực nghịch, LED hoạt động khi được phân cực thuận. c. Dòng qua quang diode phụ thuộc lượng ánh sáng chiếu vào mối nối P-N, LED phát sáng phụ thuộc vào dòng áp giữa 2 đầu, d. Cả 3 câu trên đều đúng 7.6. QUANG TRANSISTOR (PHOTOTRANSISTOR) 7.6.1. Cấu tạo, nguyên lý hoạt động Quang transistor được coi như gồm một diode quang và một transistor. Ký hiệu: Quang transistor có quang diode làm nhiệm vụ cảm biến quang điện và transistor làm nhiệm vụ khuếch đại. Diode quang được sử dụng ở đây là mối nối P-N giữa cực B và C, vì trong transistor khi phân cực cho các chân thì diode BE được phân cực thuận, còn diode BC được phân cực Chương 7: Linh kiện quang Trang 182 nghịch. Khi diode BC phân cực nghịch và được chiếu sáng thì dòng điện rỉ ICB sẽ tăng cao hơn bình thường nhiều lần. Dòng điện rỉ ICB sẽ trở thành dòng IB và được transistor khuếch đại. Đặc điểm của quang transistor: - Độ khuếch đại của quang transistor từ 100 đến 1000 và độ khuếch đại không tuyến tính theo cường độ ánh sáng chiều vào mối nối. - Quang transistor có tốc độ làm việc chậm do tụ điện ký sinh CCB (tụ ký sinh giữa cực C và B) gây ra hiệu ứng Miller. - Quang transistor có tần số làm việc cao nhất vài trăm Hz, trong khi đó tần số làm việc cực đại của quang diode lên đến vài chục Mhz. 7.6.2. Ứng dụng Quang transistor được dùng nhiều trong các mạch điều khiển Ví dụ 7.11: Mạch điều khiển role RY dùng quang transistor (a) (b) Hình 7.18. Mạch điều khiển role RY dùng quang transistor Mạch (a): Mạch dùng quang transistor ghép Darlington với transistor công suất để điều khiển rờ le RY. Khi được chiếu sáng, transistor quang dẫn làm transistor công suất dẫn cấp điện cho rờ le. Mạch (b): Khi quang được chiếu sáng thì dẫn điện, tạo sụt áp trên điện trở để phân cực cho cực B của transisor công suất làm cho transistor dẫn và cấp điện cho rờ le. Hiện nay người ta còn chế tạo ra các loại JFET quang và thyristor quang. Ví dụ 7.12: 1. Quang transistor khác gì với transistor thông thường: a. Quang transistor chỉ có 2 cực. b. Quang transistor hoạt động phụ thuộc vào ánh sáng chiếu vào cực B của quang transistor. c. Cả 2 đều đúng. d. Cả 2 đều sai. 2. Quang transistor được sử dụng trong những trường hợp nào: a. Dùng trong các mạch điều khiển bằng quang b. Khuêch đại tín hiệu với hệ số khuếch đại từ 100-1000 tùy theo cường độ ánh sáng chiếu vào. c. Làm việc ở tần số vài trăm Hz d. Tất cả đều đúng Chương 7: Linh kiện quang Trang 183 7.7. CÁC BỘ GHÉP QUANG (OPTO – COUPLERS) 7.7.1. Cấu tạo Bộ ghép quang gồm có hai phần là sơ cấp và thứ cấp. Phần sơ cấp là một diode loại GaAs phát ra tia hồng ngoại, phần thứ cấp là một transistor quang loại silic. Ký hiệu: 7.7.2. Nguyên lý hoạt động Khi được phân cực thuận, diode phát ra bức xạ hồng ngoại chiếu lên trên mặt của quang transistor. Như vậy, tín hiệu điện được sơ cấp là LED hồng ngoại (còn gọi là phần phát) đổi thành tín hiệu ánh sáng. Tín hiệu ánh sáng được phần thứ cấp là quang transistor (còn gọi là phần nhận) đổi lại thành tín hiệu điện. 7.7.3. Đặc trưng kỹ thuật - Bộ ghép quang được dùng để cách điện giữa hai mạch điện có điện áp cách biệt lớn. Điện áp cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp thường từ vài trăm volt đến hàng ngàn volt. - Bộ ghép quang có thể làm việc với dòng điện một chiều hay tín hiệu xoay chiều có tần số cao. - Điện trở cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp có trị số rất lớn thường khoảng vài chục đến vài trăm MΩ đối với dòng điện một chiều. - Hệ số truyền đạt dòng điện là tỉ số phần trăm của dòng điện ra ở thứ cấp IC với dòng điện vào ở sơ cấp IF. Đây là thông số quan trọng của bộ ghép quang thường có trị số từ vài chục phần trăm đến trăm phần trăm tùy theo bộ ghép quang. 7.7.4. Ứng dụng Bộ ghép quang được sử dụng nhiều trong các mạch điều khiển. Ví dụ 7.13: Mạch ứng dụng của opto transistor để điều khiển động cơ. Hình 7.19. Mạch ứng dụng của opto transistor để điều khiển động cơ Khi ngõ vào ON, LED tắt, quang transistor không hoạt động, transistor BD139 dẫn làm động cơ chuyển động. Khi ngõ vào OFF, LED sáng, quang transistor hoạt động làm transistor BD139 tắt, động cơ ngưng chuyển động. Chương 7: Linh kiện quang Trang 184 Ví dụ 7.14: 1. Những trường hợp nào nên sử dụng bộ ghép quang: a. Mạch điều khiển những thiết bị có công suất lớn. b. Tách biệt mạch điều khiển và thiết bị. c. Cả 2 câu đều đúng d. Cả 2 câu đều sai 2. Những thông số cần quan tâm nhất khi sử dụng bộ ghép quang: a. Điện áp cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp b. Tín hiệu điện sử dụng một chiều hoặc xoay chiều c. Điện trở cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp d. Hệ số truyền đạt dòng điện CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM CHƯƠNG 7 Câu 1: Để các LED sáng bình thường, xác định giá trị của R: A. 150Ω B. 15Ω C. 1,5kΩ D. 15kΩ Câu 2: Để các LED sáng bình thường, xác định giá trị của R: A. 350Ω B. 35Ω C. 3,5kΩ D. 35kΩ Câu 3: Để các LED sáng bình thường, xác định giá trị của R: A. 1,1kΩ B. 110Ω C. 11Ω D. 11kΩ Câu 4: Để các LED sáng bình thường, xác định giá trị của R: A. 600Ω B. 60Ω C. 6Ω D. 6kΩ LED LED R +5V LED LED R +9V LED LEDR +15V LED LEDR +10V Chương 7: Linh kiện quang Trang 185 Câu 5: Nhận dạng Photodiode: A. D1 B. D2 C. D3 D. D4 Câu 6: Quang diode và LED khác nhau như thế nào. Chọn câu trả lời đúng: A. Quang diode là linh kiện thu quang, LED là linh kiên phát quang. B. Quang diode được sử dụng ở chế độ phân cực nghịch, LED hoạt động khi được phân cực thuận. C. Dòng qua quang diode phụ thuộc lượng ánh sáng chiếu vào mối nối P-N, LED phát sáng phụ thuộc vào dòng áp giữa 2 đầu, D. Cả 3 câu trên đều đúng Câu 7: Quang transistor khác gì với transistor thông thường: A. Quang transistor chỉ có 2 cực. B. Quang transistor hoạt động phụ thuộc vào ánh sáng chiếu vào cực B của quang transistor. C. Cả 2 đều đúng. D. Cả 2 đều sai. Câu 8: Quang transistor được sử dụng trong những trường hợp nào: A. Dùng trong các mạch điều khiển bằng quang B. Khuêch đại tín hiệu với hệ số khuếch đại từ 100-1000 tùy theo cường độ ánh sáng chiếu vào. C. Làm việc ở tần số vài trăm Hz D. Tất cả đều đúng Câu 9: Những trường hợp nào nên sử dụng bộ ghép quang: A. Mạch điều khiển những thiết bị có công suất lớn. B. Tách biệt mạch điều khiển và thiết bị. C. Cả 2 câu đều đúng D. Cả 2 câu đều sai Câu 10: Nhận dạng linh kiện có ký hiệu sau đây: A. Quang diode B. Quang điện trở C. Quang transistor D. Opto CÂU HỎI CHƯƠNG 7 1. Nêu cấu tạo, nguyên lý hoạt động của quang điện trở? 2. Nêu cấu tạo, nguyên lý hoạt động của quang diode? 3. Nêu cấu tạo, nguyên lý hoạt động của quang transistor? 4. Bộ ghép quang được sử dụng trong các trường hợp nào? 5. Hãy kể tên LED sáng, LED tắt trong LED bảy đoạn khi dùng nó hiển thị các chữ số 0, 1, 2,.., 9. 6. Hãy kể tên những linh kiện quang điện tử đã học và chia nó ra hai nhóm linh kiện biến đổi tín hiệu quang → điện, điện → quang. D1 D2 D4D3 Chương 7: Linh kiện quang Trang 186 7. Tính R thích hợp trong các mạch sau để các LED sáng bình thường. (b) (c) Trang 187 PHỤ LỤC CHUẨN KÍ HIỆU LINH KIỆN TT Linh kiện Ký hiệu Mô tả trên bản vẽ Chuẩn IEC Chuẩn IEEE Chuẩn JIC Điện trở - Resistor 1 Điện trở R Resistor 2 Biến trở hiệu chỉnh điểm tiếp xúc (bước). VR Resistor with adjustable contact. 3 Biến trở hiệu chỉnh liên tục VR Variable resistor; sheostat 4 Nhiệt trở Rt Thermistor; thermal resistor; temperature- sensing element. 5 Nhiệt trở tuyến tính VRt Linear thermistor 6 Nhiệt trở phi tuyến VRt Nonlinear thermistor 7 Nhiệt trở với hệ số nhiệt âm VRt Thermistor with Negative temperature coefficient t o t o t o -t o Trang 188 8 Nhiệt trở với hệ số nhiệt dương VRt Thermistor with Positive temperature coefficient 9 Quang trở Rp Photoconductive; Photoresistive Tụ điện - Capacitor 10 Tụ điện không phân cực C Unpolarized Capacitor 11 Tụ điện có phân cực C Polarized capacitor 12 Biến dung C Variable capacitor Antenna 13 Ăng-ten Antenna +t o Trang 189 14 Ăng-ten Dipol Dipole antenna Nguồn một chiều – DC source 12 Nguồn áp một chiều Vdc Direct-Current Source, one cell battery 13 Nguồn áp một chiều dạng nối tiếp Vdc Multi cell Battery 14 Nguồn áp xoay chiều Vac Altenating-Current Source 15 Đất 0 Ground 16 Đất vỏ máy Chassis 17 Điện áp (đất) tham chiếu Ground common connection Cuộn dây-Inductor 18 Cuộn dây (thông thường) Inductor Trang 190 19 Cuộn dây lõi từ L Magnetic-core inductor 20 Cuộn dây hiệu chỉnh bước L Adjustable inductor 21 Cuộn dây hiệu chỉnh liên tục L Continuously Adjustable inductor 22 Máy biến áp Transformer 23 Máy biến áp lõi từ không bão hoà Nonsaturating Magnetic- core transformer 23 Biến áp tự ngẫu 1 pha One phase Autotransformer Linh kiện bán dẫn 24 Diode D Diode 25 Diode biến dung, variac Capacitive diode; Varactor Trang 191 26 Diode cảm quang D Photosensitive Diode 27 Diode phát quang (LED) D Photoemissive Diode; Light Emitter Diode 28 Diode Zener Dz Voltage regulator diode; Zener 29 Diode đường hầm Tunnel diode 30 Thyristor SCR Thyristor 31 Triac Bidirectional triode thyristor; Triac 32 NPN Transistor NPN Transistor 33 PNP Transistor PNP Transistor 34 UJT Loại N Unijunction transistor with N-type 35 UJT Loại P Unijunction transistor with P-type Trang 192 36 JFET kênh N JFET channel N 37 JFET kênh P JFET channel P 38 MOSFET kênh N liên tục MOSFET channel N, depletion type 39 MOSFET kênh P liên tục MOSFET channel P, depletion type 40 MOSFET kênh N gián đoạn MOSFET channel N, enhancement type 41 MOSFET kênh P gián đoạn MOSFET channel P, enhancement type 42 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor Trang 193 TÀI LIỆU THAM KHẢO [1]. Bộ môn ĐTVT, Bài giảng Kỹ thuật điện tử, Trường Cao đẳng Kỹ thuật Cao Thắng, 2017. [2]. Bộ môn ĐTVT, Bài giảng Thực tập Kỹ thuật điện tử, Trường Cao đẳng Kỹ thuật Cao Thắng, 2017. [3]. GS.TS. Lê Tiến Thường, Mạch điện tử 1, Đại học Bách Khoa TP. HCM, 2012. [4]. PGS.TS. Trần Thu Hà, Điện tử cơ bản, Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. HCM, 2010. [5]. Robert L. Boylestad, and Louis Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, McGrawHill, 2012.
File đính kèm:
- giao_trinh_ky_thuat_dien_tu_phan_2.pdf