Bài giảng Nhập môn điện tử - Chương 9: Linh kiện Transistor

Đại Học Công Nghệ Thông Tin 
ĐH QG TPHCM
Môn học : Nhập Môn Điện Tử
TP HCM - 2012
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
Cấu tạo và ký hiệu
C: Collector 
(cực thu)
B: Base 
(cực nền)
E: Emitter 
(cöïc 
phaùt)
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
Cấu tạo thực tế
B
C
E
TO-92
TO-92
MOD
B
C
E
E
C
B
TO-126
MOD
TO-126 FM
E
C
B
TO-3
C
B
E
B
C
E
TO-3P
B
C
E
TO-220AB
TO-3PFM
TO-220FM
TO-220CFM
B
C
E
B
C
E
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
EN
IE
IB
Nguyên lý hoạt động
C
B
E
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
EN
IC
Nguyên lý hoạt động
ICBO
C
B
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
EN
IE IC
IB
Nguyên lý hoạt động
IE IC
IB
ICBO
C
B
E
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
Công thức dòng của BJT :
EN
IE IC
IB
IE IC
IB
C
B
E ICBO
 =
Số hạt tải đến được tại C
Số hạt tại phát ra tại E
IC = .IE +ICBO
IE = IB +IC
 =
IC
IB
Hệ số khuếch tán
 =
1 -  + 1

 =Quan hệ giữa và  :
BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
BJT (Các kiểu nối dây )
Kiếu nối B chung (CB):
ZIN nhỏ (10100) ; ZOUT lớn (50k  1M)
Chỉ khuếch đại điện thế, không khuếch đại dòng 
IE IC
IB
E C
B
P N P
VEE VCC
+ - + -
IE IC
IB
C
B
E
VEE VCC
+
+
RL
RL
IE IC
IB
C
B
E
VEE VCC
+
+
IE IC
IB
E C
B
N P N
V E V C
- + - +
IC (mA)
7mA
6mA
5 mA
4mA
3mA
2mA
1mA
IE =0 mA
VCB(V)
0
1
2
3
4
5
6
7
1 0 5 10 15 20
0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V)
10
30
50
70
90
100
IB (µA) VCE = 1V
VCE = 10V
VCE = 20V
0
(b)
VCE(V)
IC (mA)
5 10 15 20
Vuøng ngöng daãnICEO
(a)
VCE (BH)
0
1
2
3
4
5
6
Vuøng 
baõo 
hoøa 
7
IB = 0 µA
IB = 10 µA
IB = 20 µA
IB = 30 µA
IB = 40 µA
IB = 50 µA
IB = 60 µA
IB = 70 µA
IB = 80 µA
Vuøng tích cöïc
RL
RL
BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )
Kiểu Nối E CHUNG (CE):
BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )
Kiểu nối C chung (CC):
RLRL
Đặc tuyến gần như kiêu CE
ZIN lớn (50k  1M) ;
ZOUT nhỏ (vài trăm )
Dạng sóng ra và vào đồng pha
Không khuếch đại
Chỉ lặp đi lặp lại dùn làm mạch đệm