Bài giảng Dụng cụ bán dẫn - Chương 5: BJT - Hồ Trung Mỹ
BJT
• Giới thiệu
• Bức tranh ý niệm
• Đặc tính tĩnh của BJT
• Các tham số hiệu năng của dụng cụ
• Các hiệu ứng thứ cấp
• Các đặc tuyến của BJT
• Đáp ứng tần số và hoạt động chuyển mạch của BJT
• Các mô hình của BJT
• Các loại BJT khác
• Các ứng dụng của BJT: Gương dòng điện,
• Thyristor3
5.6 Đáp ứng tần số và hoạt động
chuyển mạch của BJT
5.6.1 Đáp ứng tần số
• Mạch tương đương tần số cao
• Tần số cắt (cutoff frequency)
Trang 1
Trang 2
Trang 3
Trang 4
Trang 5
Trang 6
Trang 7
Trang 8
Trang 9
Trang 10
Tải về để xem bản đầy đủ
Bạn đang xem 10 trang mẫu của tài liệu "Bài giảng Dụng cụ bán dẫn - Chương 5: BJT - Hồ Trung Mỹ", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
Tóm tắt nội dung tài liệu: Bài giảng Dụng cụ bán dẫn - Chương 5: BJT - Hồ Trung Mỹ
ong các ứng dụng cần tốc độ chuyển mạch nhanh. 24 Schottky transistor • MOTIVATION: Do not let the transistor go into deep saturation during switching. 25 5.7 Các mô hình của BJT 1. Mô hình tín hiệu lớn 1) Mô hình Ebers-Moll (mô tả cho bất cứ chế độ làm việc nào và là cơ sở cho mô hình BJT trong SPICE) 2) Mô hình Gummel-Poon (có kể đến sự tái hợp khi xét các dòng điện) 3) Xét từng chế độ làm việc khác nhau 2. Mô hình tín hiệu nhỏ (dùng cho chế độ khuếch đại, tín hiệu nhỏ) 26 Chế độ BJT Tích cực thuận Bão hòa Tắt Mô hình tín hiệu lớn (tần số thấp) IE = IB = IC = 0 Chú ý: • Với chế độ tích cực thuận, ta có thể dùng mô hình sụt áp hằng cho JE khi tính toán • Với chế độ bão hòa, người ta cũng dùng mô hình với VBE = VBEsat = 0.8V (Si NPN) IB > IC IB > 0 và VCE > VCE(sat) IB > 0 và VEC > VEC(sat) Si: VEB(on)= 0.7V và VEC(sat)=0.2V Si: VBE(on)= 0.7V và VCE(sat)=0.2V 27 Mô hình tín hiệu lớn của BJT – NPN (chế độ KĐ) 28 TD: BJT hoạt động như khóa điện tử vI= VIL=0V BJT tắt ( OFF) vC=VCC vI = VIH=5V BJT bão hòa (ON) vC=VCEsat +10V +5V Cho trước =50 150 và RC =1 K. Tìm RB? Khi bão hòa ta có VCEsat= 0.2V (Si) và minIBsat > ICsat với min = 50 ICsat = (VCC – VCEsat)/RC IBsat = (VIH – VBEsat)/RB Suy ra : RB < minRC(VIH – VBEsat)/(VCC – VCEsat) +Nếu VIH >> VBEsat và VCC >> VCEsat ta có: RB < minRCVIH/VCC 29 Hoạt động tín hiệu nhỏ và mô hình 0.4VV operation, mode-activefor RIVVV /βII /αII eII BC CCCCCEC CB CE T/VBEV SC Với chế độ tích cực thuận, phân cực 30 Cụ thể, nếu vbe 10 mV tín hiệu nhỏ Tbe T be C T/Vbev CC )T/Vbe(v)T/VBE(V S T)/VbevBE(V S T/VBEv SC beBEBE V vif) V v (1IeIi is,That eeI eIeIi becomescurrent collector the terminal;base at the applied is vVv ltgaeemitter vo-base ousinstantane totalThe Điện áp B-E tổ g cộng tức thời được đưa vào chân B, và dòng cực thu là Nghĩa là nếu vbe << T 31 CICiBE C T C m m bembe T C c be T C CcCC v i V I g is g uctance transcond thewhere vgv V I i iscurrent collector signal small The v V I IiIi :AC DCcurrent" total"on Based Hoạt động tuyến tính của BJT dưới điều kiện tín hiệu nhỏ: Tín hiệu nhỏ vbe với dạng sóng tam giác được xếp chồng lên điện áp DC VBE. Nó làm xuất hiện dòng tín hiệu ở cực thu ic, cũng có dạng sóng tam giac, được xếp chồng lên dòng DC IC. Ở đây, ic = gmvbe, với gm là độ dốc của đường cong iC–vBE tại điểm tĩnh Q. Dựa trê dòng toàn phần = DC + AC: Dòng thu tín hiệu nhỏ là với hỗ dẫn gm là 32 Phát triển mô hình tín hiệu nhỏ: C A o o m Tbe I V r is know, weas , r resistanceoutput The finite. is resistanceoutput theeffect,Early the toDue infinite"." is resistanceoutput theIdeally, :ResistanceOutput .g uctance transcondwith the source"current controlled voltage" a as behavesr transistothe Vv signals smallfor that suggests analysis above The P ân tích trên đề xuất đối với tín hiệu nhỏ BJT hoạt động như “nguồn dòng được điều khiển bằng áp” với hỗ dẫn gm. Điện trở ra Lý tưởng thì điện trở ra là “vô cực”( ) o hiệu ứng Early, điện trở ra thì hữu hạn. Điện trở ra r0 là 33 . I V v i r hand,other On the I V )/V(I β g β i v r is ,r as denoted ,resistanceinput signal-small The v β g v V I β 1 i iscurrent base signal-small theTherefore, iIv V I β 1 β I i is, that , β i icurrent base totalThe :base at the resistanceInput andcurrent Base B T 1 be B π B T TCmb be π π be m be T C b bBbe T CC B C B Dòng nề và điện trở vào ở miền nền Dòng nền toàn phần là nghĩa là Do đó dòng nền tín hiệu nhỏ là Điện trở vào tín hiệu nhỏ r là Mặ khác, ta có 34 mmE E e eb e be e e be T E be T Cc e eE cCC E E g 1 g α I V ) i v ( i v r by defined becan it ,rby emitter, theinto looking emitter, and basebetween resistance signal-small a denote weIf v V I v Vα I α i i iscurrent emitter signal-small theis,That iI α i α I α i i is icurrent emitter totalThe :Emitter at the ResistanceInput theandcurrent Emitter Dòng phát và điện trở vào ở cực phát Dòng phát toàn phần là Nghĩa là dòng phát tí hiệu nhỏ là Nếu ta định nghĩa điện trở tín hiệu nhỏ giữa cực nền và cực phát , nhìn vào cực phát, là re (hoặc r’e). Khi đó re được tính như sau 35 ee b e π eeπbbe r1)(βr i i r have wethus ririvSince T CC Cm be c v v beCmCbemCcc c CcCCcCCCC CcCCC CCCCC C V RI Rg v v A is Aamplifier thisofgain voltage theThus )vR(g)Rv(gRiv is v voltagesignal small The RiVRi)RI(V )Ri(IV RiVv is vvoltagecollector totalThe signal)-(small :Gain Voltage Vì Như vậy ta có • Độ lợi áp (tín hiệu nhỏ) Điện áp toàn phần tại cực thu là Điện áp tín h ệu nhỏ vC là Như vậy độ lợi áp AV của mạch khuếch đại này là 36 Các mô hình tín hiệu nhỏ: Mô hình hỗn hợp và mô hình T Từ phân tích trên, ta có thể tách riêng ra các đại lượng DC và tín hiệu để đơn giản hóa việc phân tích Hai phiên bản hơi khác nhau của mô hình pi được đơn giản hóa khi phân tích hoạt động tín hiệu nhỏ của BJT. Mạch tương đương trong (a) biểu diễn BJT như nguồn dòng được điều khiển bằng áp (mạch khuếch đại xuyên dẫn [transconductance amplifier]), và trong in (b) biểu diễn BJT như nguồn dòng được điều khiển bằng dòng (mạch khuếch đại dòng [current amplifier]). Mô hình hỗn hợp ( Hybrid- Model ) 37 Mô hình T Chú ý: cả hai mô hình được xem như (a) nguồn dòng được điều khiển bằng áp, và (b) nguồn dòng được điều khiển bằng dòng. 38 Các bước phân tích mạch BJT tín hiệu nhỏ Cm mE T e mT C Rg gI V r g r V I v m C A gain voltage thesay, ,quantities required thedetermine circuit to resulting theAnalyze 5. model. signal-small its of one with BJT theReplace 4. circuitopen sourceCurrent circuitshort source Voltage :by sources DC theEliminate .3 ;;g of valuesparameter theCalculate .2 .Icurrent collector DC get the and ) given a(for point operation dc theDetermine .1 Xác định điểm hoạt động DC (với cho trước) và có được dòng thu DC IC. Tính các tham số tín hiệu nhỏ của BJT Khử các nguồn DC bằng cách: Nguồn áp Ngắn mạch Nguồn dòng Hở mạch Thay thế BJT bằng 1 tr g các mô hình tín hiệu nhỏ Phân tích mạch có được để xác định các đại lượng mong muốn, thí dụ: với mạch trước có độ lợi áp là 39 TD: Giả sử =100. Tìm độ lợi áp tín hiệu nhỏ vo/vi. Ở chế độ tích cực thuận |VBE|=0.7V iCbemo ii BBπ π be m π T C m 3.04vRvgv 0.011vv Rr r v 1.09KΩ 92 100 g β r 92mA/V 25mV 2.3mA V I g 40 Mô hình tín hiệu nhỏ có kể đến hiệu ứng Early (có thêm điện trở ra r0) Ω I V I VV r c A C CEA o Nguồn dòng được điều khiển bằng áp Nguồn dòng được điều khiển bằng dòng. 41 Biến đổi mô hình 42 Graphical determination of ac emitter resistance. BE e E V r I 25mV e E r I (ở 300K) 43 Xác định ac. IB IC Q IB IC C c ac B b I i I i hFE = dc beta hfe = ac beta 44 Các đại lượng AC trong bảng dữ liệu Bốn tham số h truyền thống: • hfe là độ lợi dòng AC (mắc CE) • hie = r là tổng trở vào (mắc CE) • bac = hfe • re’ = hie/hfe • hre và hoe không cần cho các thiết kế cơ bản và troubleshooting 45 Mô hình pi hỗn hợp (tín hiệu nhỏ) của BJT • Mô hình tín hiệu nhỏ pi-hỗn hợp là biểu diễn tần số thấp của BJT. • Các tham số tín hiệu nhỏ bị điều khiển bởi điểm Q. Hỗ dẫn: gm I C V T 40I C Điện trở vào (hay hie): r oVT I C o gm Điện trở ra (hay 1/hoe) ro V A V CE I C với VA là điện áp Early 46 The Hybrid Equivalent Model Hybrid model is derived from two-port system. 47 Six Circuit-Parameter Models for Two- Port Systems Independent Variables Dependent Variables Circuit Parameters I1, I2 V1, V2 Impedance Z V1, V2 I1, I2 Admittance Y V1, I2 I1, V2 Inverse Hybrid g I1, V2 V1, I2 Hybrid h V2, I2 V1, I1 Transmission T V1, I1 V2, I2 Inverse Transmission T’ 48 Equations for Hybrid Model 1 11 1 12 2 2 21 1 22 2 V h I h V I h I h V Let V1 = Vi, I1 = Ii, V2 = Vo, and I2 = Io. Then 11 12 21 22 i i o o i o V h I h V I h I h V 49 Equivalent Circuit for Hybrid Model 11 12 21 22 i i o i i r o o i o f i o o V h I h V h I h V I h I h V h I h V 50 h-Parameters h11 = hi = Input Resistance h12 = hr = Reverse Transfer Voltage Ratio h21 = hf = Forward Transfer Current Ratio h22 = ho = Output Admittance 11 12 21 22 0 0 0 0 i i o ii o o o o ii o V V h h V II V I I h h V II V 51 h-Parameters for CE Amp. • hie = the base input impedance • hfe = the base-to-collector current gain • hoe = the output admittance • hre = the reverse voltage feedback ratio be ie b re ce c fe b oe ce v h i h v i h i h v 52 Hybrid Model for CE Configuration in (output shorted) (output shorted) ie b c fe b v h i i h i (input open) (input open) c oe ce be re ce i h v v h v May be neglected. 53 h-parameters of 2N3904 54 Hybrid Model without hre and hoe fe ach in(base)1ie fe e fe eh h r h r Z in C i fe ie L Z r A h h R fe C v ie h r A h 55 Determining h-Parameter Values Use geometric means if given max. and min. values. (min) (max)ie ie ieh h h (min) (max)fe fe feh h h 56 Typical amplifiers RCR1 R2 RE Load VCC Q1 RD R1 RS Load VCC Q1 Rin Load +V -V Rf BJT Amplifier JFET Amplifier Op-Amp Based Amplifier 57 General amplifier models. Vout Vout Vin Vin 58 Gain symbols. Type of Gain Symbol Relation Voltage Av Current Ai Power Ap out in i i A i out in v v A v out in p P A P 59 Example The symbol shown in Fig. 8.3 is a generic symbol for an amplifier. Calculate the voltage gain for the amplifier represented in the figure. A 400 V 250mV out in 250mV 625 400μVv v A v 60 Voltage amplifier model. in in in S S Z v v R Z out inv v A v out out L L L R v v Z R (eff ) L v S v A v 61 Combined effects of the input and output circuits Zin 980 Zout 250 vout RL 1.2k RS 20 vS 15mV vin vL Av=340 inin in 980Ω 15mV 1kΩ 14.7mV S S Z v v R Z out in 340 14.7mV 5V vv A v out out 1.2kΩ 5V 1.45kΩ 4.14V L L L R v v Z R eff 4.14V 276 15mV L v S v A v 62 Voltage Amplifier Characteristics Ideal: • Any value of voltage gain (can be infinite if needed) • Infinite input impedance • Zero output impedance Practical: • Certain value of gain (cannot reach infinity). • High input impedance • Low output impedance 63 BJT Amplifier Configurations • Common-emitter (CE) amplifier • Common-collector (CC) amplifier • Common-base (CB) amplifier 64 Property ranges Property Low Midrange High Gain 1000 Impedance 10k 65 Common-emitter (CE) amplifier •Midrange values of voltage and current gain. •High power gain •Midrange input impedance •Midrange output impedance 66 Common-collector (CC) amplifier +VCC Load 2Vpp 1.8Vpp vout vin •Midrange current gain. •Extremely low voltage gain •High input impedance •Low output impedance 67 Common-base (CB) amplifier • Midrange voltage gain • Extremely low current gain (slightly less than 1) • Low input impedance • High output impedance Load +VCC -VEE 20mVpp vin 2Vpp vout 68 A comparison of CE, CC, and CB circuit characteristics Type Av Ai Ap Zin Zout CE Midrange Midrange High Midrange Midrange CC < 1 Midrange Ai High Low CB Midrange < 1 Av Low High p v iA A A 69 BJT Terminal Connections Type Emitter Base Collector CE Common Input Output CC Output Input Common CB Input Common Output 70 Amplifier Classifications • Class A – low distortion, high loss • Class B – some distortion, lower loss • Class C – high distortion, lowest loss • Others – Classes D, E, G, H, T 71 t IC t IC t IC t IC ISAT A B C D Các lớp hoạt động Class A : Linear Class B, AB: Linear* (Complementary) Class C: Nonlinear (RF, Tuned) Class D and E: Switching (Linear Audio) Các hoạt động lớp A, B, và C (phân loại theo dạng dòng collector trong 1 chu kỳ) 72 Class A Amplifiers Conduction: Transistor conducts during 360 deg. of ac input. Maximum theoretical eff.: 25% Distortion: Little (subject to nonlinear distortion.) 73 Class B Amplifiers Conduction: Each transistor conducts for 180 deg. of ac input. Maximum theoretical eff.: 78.5% Distortion: Little. Crossover distortion is most common. 74 Class C (Tuned) Amplifiers Conduction: Each transistor conducts for less than 180 deg. of ac input. Maximum theoretical eff.: 99% Distortion: Mild to severe. 75 Decibels (dB) out (dB) in 10log 10 log dBp p P A A P dB Value Ap dB Value Ap 3 2 -3 1 / 2 6 4 -6 1 / 4 12 16 -12 1 / 16 20 100 -20 1 / 100 76 dB gains are additive 77 The dBm Reference (dBm) 10log 1mWp P A dB Voltage Gain out(dB) (dB) out in in 20log 20logp v v v A A A R R v 2 out out outin in (dB) 2 in out in in out 10log 10log 20log 10logp P v vR R A P R v v R 78 Dữ liệu của 1 số BJT thông dụng 79 80 5.8 Các BJT khác • Darling ton Transistor • Polysilicon emitter Transistor • Heterojunction bipolar transistor (HBT)=transistor lưỡng cực chuyển tiếp dị thể • Phototransistor = transistor quang 81 5.8.1 Cấu hình Darlington Làm cho độ lợi dòng rất cao, thường dùng trong các mạch cần dòng IC cao (nhiều Amperes), và ta muốn điều khiển nó với dòng nền nhỏ. Và cũng làm cho điện trở vào cao. Ta có thể nối 2 BJT rởi thành 1 transistor Darlington hay mua loại người ta đã chế tạo sẵn. IB,2= IE,1 IC,2 IE,2 IB,1 IC,1 Với hình trên ta thấy rằng quan hệ giữa IB1 và IC2 là IC2=IB1 với = 12 VBE tương đương là 2xVON ( 1.4V) và VCEsat lớn hơn (thường thì ~1 V). 82 Cấu hình Darlington (2) Vì để có tốc độ chuyển nhanh và để bảo vệ BJT, trong đóng gói sẵn của BJT Darlington thường có các điện trở và diode. Darlington tiêu biểu là TIP140 có thể làm việc với 10A, có độ lợi dòng cao ít nhất 1000. Darlington tín hiệu nhỏ có thể có cỡ hàng 100 000!. TIP-141 83 84 5.8.2 Polysilicon emitter BJT • PET được dùng IC 85 5.8.3 Heterojunction bipolar transistors Chú ý: HBT được dùng các ứng dụng tốc độ cao/tần số cao 86 5.8.4 Phototransistor (transistor quang) 87 n-type p-type n Emitter Base Collector Window Cấu trúc của phototransistor 88 Phototransistors • Photodiode với mạch KĐ (transistor) • Ánh sáng chiếu vào tiếp xúc B-E (JE). • Dòng Collector IC là hàm tuyến tính của sự tới bức xạ (giả sử =const). • Dãi tuyến tính thì hẹp hơn nhiều so với photodiode hay quang trở. • Đặc tuyến IC theo VCE được vẽ theo các bước của sự tới bức xạ. • Độ nhạy của phototransistor (RE) tốt hơn độ nhạy của photodiode 89 Phototransistor • Không nhanh bằng photodiode. • Sử dụng như transistor, ngoại trừ không cần dòng nền. 90 TD: Đặc tuyến của phototransistor 91 Phototransistor
File đính kèm:
- bai_giang_dung_cu_ban_dan_chuong_5_bjt_ho_trung_my.pdf